[发明专利]一种超薄陶瓷指纹识别片的加工工艺

摘要

本发明提供一种超薄陶瓷指纹识别片的加工工艺，该工艺包括如下步骤：1)按照厚度要求用多线金刚石线锯对陶瓷晶棒进行切割，形成陶瓷片；2)将切割获得的陶瓷片放置在双面粗磨机的游星轮定位型腔内对陶瓷片的上下表面同时进行粗磨；3)将粗磨后的陶瓷片放置在抛光机的游星轮定位型腔内对陶瓷片表面进行粗抛光，4)将粗抛光后的陶瓷片放置在双面抛光机的游星轮定位型腔内对陶瓷片的上下表面同时进行精抛光，形成陶瓷片成品；5)用激光将抛光好的陶瓷片成品切割成所需尺寸的陶瓷指纹识别片。本发明能快速且高质量地完成陶瓷指纹识别片的加工作业，不易造成崩裂，划伤等不良，实现陶瓷超薄指纹识别产品高质量，高效率的加工。

主权项

1.一种超薄陶瓷指纹识别片的加工工艺，所述超薄陶瓷指纹识别片的厚度为0.08～0.2mm，其特征在于，所述加工工艺包括如下步骤：1)、线切割：按照厚度要求用多线金刚石线锯对陶瓷晶棒进行切割，形成陶瓷片；2)、粗磨：将切割获得的陶瓷片放置在双面粗磨机的游星轮定位型腔内对陶瓷片的上下表面同时进行粗磨，使用颗粒度为20～60μm的磨液，控制压力在60～150g/cm2之间变化，上磨盘转速在5～20rpm之间变化，下磨盘转速在15～30rpm之间变化，游星轮的公转速度为3～7rpm，粗磨时间5～30min；3)、粗抛光：将经过步骤2)粗磨后的陶瓷片放置在抛光机的游星轮定位型腔内对陶瓷片表面进行单面粗抛光，控制抛光机的上粗抛光盘与下粗抛光盘反向转动，使用颗粒度为2～5μm的钻石磨液，控制压力在100～200g/cm2之间变化，下粗抛光盘转速在5～35rpm之间变化，上粗抛光盘与下粗抛光盘的速比为0.4～0.8，太阳轮与下粗抛光盘的速比为0.15～0.20，对陶瓷片的单面粗抛光15～30min至表面粗糙度5≤Ra≤10nm；4)、精抛光：将经过步骤3)粗抛光后的陶瓷片放置在双面抛光机的游星轮定位型腔内对陶瓷片的上下表面同时进行精抛光，控制抛光机的上精抛光盘与下精抛光盘反向转动，使用颗粒度为60～80nm的二氧化硅研磨液，控制压力在200～300g/cm2之间变化，下精抛光盘转速在5～35rpm之间变化，上精抛光盘与下精抛光盘的速比为0.4～0.8，太阳轮与下精抛光盘的速比为0.15～0.20，对陶瓷片的双面精抛光180～300min至表面粗糙度0.3≤Ra≤0.7nm，形成陶瓷片成品；5)、激光切割：用激光将抛光好的所述陶瓷片成品切割成所需尺寸的陶瓷指纹识别片。