[发明专利]多晶硅层的制造方法和薄膜晶体管的制造方法在审
| 申请号： | 201611207483.8 | 申请日： | 2016-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN106783544A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 邢升阳 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)44280 | 代理人： | 李庆波 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种多晶硅层的制造方法和薄膜晶体管的制造方法。该制造方法包括对含有SiH4和BH3的气体进行等离子处理，以形成掺杂有B3+的非晶硅层。本发明无需依赖于IMP即可完成离子的掺杂处理，简化工艺流程的同时，改善离子植入的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 制造 方法 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
一种多晶硅层的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：对含有四氢化硅SiH4和三氢化硼BH3的气体进行等离子处理，以形成掺杂有硼离子B3+的非晶硅层；对所述非晶硅层进行热退火处理，使得掺杂有B3+的所述非晶硅层形成多晶硅半导体层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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