[发明专利]一种获取三栅FinFet器件的栅电容的方法及装置有效
| 申请号： | 201611192363.5 | 申请日： | 2016-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN106844860B | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 殷树娟;刘兴 | 申请（专利权）人： | 北京信息科技大学 |
| 主分类号： | G06F30/3308 | 分类号： | G06F30/3308 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 林桐苒;栗若木 |
| 地址： | 100192 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种获取三栅FinFet器件的栅电容的方法，获取费米能级与栅电压的关系模型；根据所述三栅FinFet器件的栅电容与栅电压落在绝缘层部分的压降的关系、所述栅电压落在绝缘层部分的压降与费米能级的关系、及所述费米能级与栅电压的关系模型获取单位面积栅电容；根据所述单位面积栅电容分别获取三栅FinFet器件的顶面的栅电容和侧面的栅电容，进而获取总的栅电容。本方案简化了求单位面积栅电容方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 获取 finfet 器件 电容 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种获取三栅FinFet器件的栅电容的方法，包括：获取费米能级与栅电压的关系模型；根据所述三栅FinFet器件的栅电容与栅电压落在绝缘层部分的压降的关系、所述栅电压落在绝缘层部分的压降与费米能级的关系、及所述费米能级与栅电压的关系模型获取单位面积栅电容；根据所述单位面积栅电容分别获取三栅FinFet器件的顶面的栅电容和侧面的栅电容，进而获取总的栅电容。
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