[发明专利]一种获取三栅FinFet器件的栅电容的方法及装置

权利要求书

1.一种获取三栅FinFet器件的栅电容的方法，包括：

获取费米能级与栅电压的关系模型；

根据所述三栅FinFet器件的栅电容与栅电压落在绝缘层部分的压降的关系、所述栅电压落在绝缘层部分的压降与费米能级的关系、及所述费米能级与栅电压的关系模型获取单位面积栅电容；

根据所述单位面积栅电容分别获取三栅FinFet器件的顶面的栅电容和侧面的栅电容，进而获取总的栅电容；其中，所述获取费米能级与栅电压的关系模型是通过以下方式实现的：

通过以下关系式：V_ox＝V_g-V_fb-ψ_s，ψ_s＝E_f+n，V_off是阈值电压，V_off＝V_fb+n，获取栅电压V_g落在绝缘层部分的压降V_ox与费米能级E_f的关系式：V_ox＝V_g-V_off-E_f，其中，V_fb为平带电压，ψ_s为表面势，n为与材料有关的常数；

根据以下关系式获取费米能级与栅电压的关系模型E_f＝f(V_g)：

所述栅电压V_g落在绝缘层部分的压降V_ox与费米能级E_f的关系式：V_ox＝V_g-V_off-E_f；

反型层表面电子浓度n_s与所述压降V_ox的关系：n_s＝q C_ox V_ox，其中，n_s为反型层表面电子浓度，q为单位电子电量，C_ox为栅氧化层电容；

反型层表面电子浓度n_s与能带状态密度D的关系：

其中，q为单位电子电量，m*为载流子有效质量，h为普朗克常数，V_th＝kT/q为热电压，k为玻尔兹曼常数，T为热力学温度，E₀＝γ0n_s2/3和E₁＝γ1n_s2/3是最低能带的两个能级。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：

所述三栅FinFet器件的栅电容C_g与栅电压V_g落在绝缘层部分的压降V_ox的关系：C_g＝V_ox·C_ox/V_g，其中，C_ox为栅氧化层电容；

所述栅电压落在绝缘层部分的压降V_ox与费米能级E_f的关系：

V_ox＝V_g-V_off-E_f；及

所述费米能级E_f与栅电压V_g的关系模型：E_f＝f(V_g)，

所述获取单位面积栅电容为C_garea：C_garea＝[V_g-V_off-f(V_g)]C_ox/V_g。