[发明专利]静态随机存取记忆体储存单元在审
申请号: | 201611192168.2 | 申请日: | 2016-12-21 |
公开(公告)号: | CN107154399A | 公开(公告)日: | 2017-09-12 |
发明(设计)人: | 耿文骏;张峰铭 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/11 | 分类号: | H01L27/11 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 一种静态随机存取记忆体储存单元,包括依序排列在第一方向的第一源极扩散区域到第四源极扩散区域、第一通闸晶体管其源极区域由第一源极扩散区域形成、第一上拉晶体管及第二上拉晶体管其源极区域由第二源极扩散区域形成、第一下拉晶体管及第二下拉晶体管其源极区域由第三源极扩散区域形成、第二通闸晶体管其源极区域由第四源极扩散区域形成、以及第一通闸晶体管与第二通闸晶体管之间的中间区域横穿整个静态随机存取记忆体储存单元。第一源极扩散区域及第四源极扩散区域中与中间区域隔开。 | ||
搜索关键词: | 静态 随机存取 记忆体 储存 单元 | ||
【主权项】:
一种静态随机存取记忆体储存单元,其特征在于,包括:一第一源极扩散区域、一第二源极扩散区域、一第三源极扩散区域以及一第四源极扩散区域,依序排列在一第一方向中;一第一通闸晶体管,其一源极区域由该第一源极扩散区域形成;一第一上拉晶体管及一第二上拉晶体管,其源极区域由该第二源极扩散区域形成;一第一下拉晶体管及一第二下拉晶体管,其源极区域由该第三源极扩散区域形成;一第二通闸晶体管,其一源极区域由该第四源极扩散区域形成;及该第一通闸晶体管与该第二通闸晶体管之间的一中间区域,沿平行于该第一方向的一方向直线地延伸及横穿整个该静态随机存取记忆体储存单元,其中该第一源极扩散区域及该第四源极扩散区域中的每一者与该中间区域隔开。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的