[发明专利]静态随机存取记忆体储存单元在审

专利信息
申请号: 201611192168.2 申请日: 2016-12-21
公开(公告)号: CN107154399A 公开(公告)日: 2017-09-12
发明(设计)人: 耿文骏;张峰铭 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L27/11 分类号: H01L27/11
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 代理人: 徐金国
地址: 中国台湾新竹市*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 一种静态随机存取记忆体储存单元,包括依序排列在第一方向的第一源极扩散区域到第四源极扩散区域、第一通闸晶体管其源极区域由第一源极扩散区域形成、第一上拉晶体管及第二上拉晶体管其源极区域由第二源极扩散区域形成、第一下拉晶体管及第二下拉晶体管其源极区域由第三源极扩散区域形成、第二通闸晶体管其源极区域由第四源极扩散区域形成、以及第一通闸晶体管与第二通闸晶体管之间的中间区域横穿整个静态随机存取记忆体储存单元。第一源极扩散区域及第四源极扩散区域中与中间区域隔开。
搜索关键词: 静态 随机存取 记忆体 储存 单元
【主权项】:
一种静态随机存取记忆体储存单元,其特征在于,包括:一第一源极扩散区域、一第二源极扩散区域、一第三源极扩散区域以及一第四源极扩散区域,依序排列在一第一方向中;一第一通闸晶体管,其一源极区域由该第一源极扩散区域形成;一第一上拉晶体管及一第二上拉晶体管,其源极区域由该第二源极扩散区域形成;一第一下拉晶体管及一第二下拉晶体管,其源极区域由该第三源极扩散区域形成;一第二通闸晶体管,其一源极区域由该第四源极扩散区域形成;及该第一通闸晶体管与该第二通闸晶体管之间的一中间区域,沿平行于该第一方向的一方向直线地延伸及横穿整个该静态随机存取记忆体储存单元,其中该第一源极扩散区域及该第四源极扩散区域中的每一者与该中间区域隔开。
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