[发明专利]静态随机存取记忆体储存单元

说明书

技术领域

本揭示案是有关于静态随机存取记忆体的布局，及更进一步而言，是有关于可以缩小储存单元尺寸的静态随机存取记忆体布局。

背景技术

一般来说，当静态随机存取记忆体(static random access memory；SRAM)用于数据储存时，需要供电给静态随机存取记忆体。为满足对便携式电子装置及高速计算的要求，需要将相当多个数据储存单元整合至单一个静态随机存取记忆体晶片中，也可能需要将习用晶体管替换为具有更小大小及更低功耗的垂直晶体管来降低其功耗。然而，在半导体工业中，将垂直晶体管整合至静态随机存取记忆体晶片已显现挑战。

发明内容

根据本揭示案的一些态样，静态随机存取记忆体(static random access memory；SRAM)储存单元包括依序排列在第一方向的第一源极扩散区域到第四源极扩散区域、第一通闸晶体管(其源极区域由第一源极扩散区域形成)、第一上拉晶体管及第二上拉晶体管(其源极区域由第二源极扩散区域形成)、第一下拉晶体管及第二下拉晶体管(其源极区域由第三源极扩散区域形成)、第二通闸晶体管(其源极区域由第四源极扩散区域形成)，及第一通闸晶体管与第二通闸晶体管之间的中间区域，此中间区域沿平行于第一方向的方向直线延伸及横穿整个静态随机存取记忆体储存单元。第一源极扩散区域及第四源极扩散区域中的每一者与中间区域隔开。

附图说明

本揭示案的态样最佳在阅读附图时根据下文的详细说明来进行理解。应注意，依据工业中的标准实务，多个特征并未按比例绘制。实际上，多个特征的尺寸可任意增大或缩小，以便使论述明晰。

图1是根据本揭示案的多个实施例的静态随机存取记忆体储存单元的示例性电路图；

图2A是根据本揭示案的一些实施例的一示例性垂直晶体管的关键元素示意性透视图，及图2B是示例性垂直晶体管的示意性横剖面图；

图3是根据本揭示案的一些实施例的静态随机存取记忆体储存单元布局；

图4是图3中图示的静态随机存取记忆体储存单元布局，其中仅图示通道、源极扩散区域、栅极线，及漏极扩散区域；

图5是图3中图示的静态随机存取记忆体储存单元布局，其中仅图示通道、源极扩散区域、栅极线、漏极扩散区域及互连区域；

图6是一放大图，此图示意地图示图3中静态随机存取记忆体储存单元的相邻通闸晶体管的关键组件；

图7A及图7B是根据本揭示案的一些实施例的静态随机存取记忆体储存单元简化布局，其中仅图示静态随机存取记忆体储存单元的源极扩散区域；

图8A及图8B是根据本揭示案的其他实施例的静态随机存取记忆体储存单元简化布局，这些简化布局基于对图6中图示的静态随机存取记忆体储存单元布局的修改；以及

图9图示根据本揭示案的一实施例用于制造静态随机存取记忆体阵列的方法的流程图。

具体实施方式

以下揭示内容提供众多不同的实施例或实例以用于实施本案提供的标的物的不同特征。下文中描述组件及排列的特定实例以简化本揭示案。这些组件及排列当然仅为实例，及不意欲进行限制。例如，在下文的描述中，第一特征在第二特征上方或之上的形成可包括其中第一特征与第二特征以直接接触方式形成的实施例，及亦可包括其中在第一特征与第二特征之间形成额外特征以使得第一特征与第二特征无法直接接触的实施例。此外，本揭示案在多个实例中可重复元件符号及/或字母。此重复用于实现简化与明晰的目的，及其自身并不规定所论述的多个实施例及/或配置之间的关系。

此外，本案中可使用诸如“下方(beneath)”、“以下(below)”、“下部(lower)”、“上方(above)”、“上部(upper)”等等的空间相对术语在以便于描述，以描述一个元件或特征与另一或更多个元件或特征的关系，如附图中所图示。空间相对术语意欲包含在使用或操作中的装置除附图中绘示的定向以外的不同定向。设备可经定向(旋转90度或其他定向)，及本案中使用的空间相对描述词同样可相应地进行解释。