[发明专利]一种低速发射器电路有效
| 申请号： | 201611191596.3 | 申请日： | 2016-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN106788493B | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 刘程斌;姜黎;李天望;万鹏;袁涛 | 申请（专利权）人： | 湖南国科微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H04B1/04 | 分类号： | H04B1/04 |
| 代理公司： | 43216 长沙市阿凡提知识产权代理有限公司 | 代理人： | 胡国良 |
| 地址： | 410125 湖南省长沙市*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种低速发射器电路。所述低速发射器电路包括输入端、第一级驱动单元、第二级驱动单元和输出端，其中，所述第一级驱动单元连接到所述输入端，且其包括第一反向器和第二反向器；所述第二级驱动单元连接到所述输出端，且其包括第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管，其中所述第一PMOS晶体管和所述第一NMOS晶体管的栅极分别通过所述第一反向器和第二反向器进行控制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低速 发射器 电路 | ||
【主权项】：
1.一种低速发射器电路，其特征在于，包括输入端、第一级驱动单元、第二级驱动单元和输出端，其中，所述第一级驱动单元连接到所述输入端，且其包括第一反向器和第二反向器；所述第二级驱动单元连接到所述输出端，且其包括第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管，其中所述第一PMOS晶体管和所述第一NMOS晶体管的栅极分别通过所述第一反向器和第二反向器进行控制；/n所述第一反向器包括第二PMOS晶体管和第二NMOS晶体管；所述第二PMOS晶体管的栅极和所述第二NMOS晶体管的栅极相互连接，并连接到所述输入端，所述第二PMOS晶体管的漏极和所述第二NMOS晶体管的漏极相互连接，并连接到所述第一PMOS晶体管的栅极；所述第二PMOS晶体管的源极连接到直流电压，而所述第二NMOS晶体管的源极通过第二下拉控制元件连接到接地端；/n所述第二反向器包括第三PMOS晶体管和第三NMOS晶体管；所述第三PMOS晶体管的栅极和所述第三NMOS晶体管的栅极相互连接，并连接到所述输入端；所述第三PMOS晶体管的漏极和所述第三NMOS晶体管的漏极相互连接，并连接到所述第一NMOS晶体管的栅极；所述第三PMOS晶体管的源极还通过第二上拉控制元件连接到所述直流电压，而所述第二NMOS晶体管的源极连接到所述接地端；/n所述第二上拉控制元件和所述第二下拉控制元件分别为第五PMOS晶体管和第五NMOS晶体管；所述第五NMOS晶体管的栅极用于接收第一使能信号，且其漏极连接到所述第二NMOS晶体管的源极，而其源极连接到所述接地端；所述第五PMOS晶体管的栅极用于接收第二使能信号，且其漏极连接到所述第三PMOS晶体管的源极，而其源极连接到所述直流电压；所述第一使能信号和所述第二使能信号为相互反向的使能控制信号。/n
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