[发明专利]一种低速发射器电路

权利要求书

1.一种低速发射器电路，其特征在于，包括输入端、第一级驱动单元、第二级驱动单元和输出端，其中，所述第一级驱动单元连接到所述输入端，且其包括第一反向器和第二反向器；所述第二级驱动单元连接到所述输出端，且其包括第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管，其中所述第一PMOS晶体管和所述第一NMOS晶体管的栅极分别通过所述第一反向器和第二反向器进行控制；

所述第一反向器包括第二PMOS晶体管和第二NMOS晶体管；所述第二PMOS晶体管的栅极和所述第二NMOS晶体管的栅极相互连接，并连接到所述输入端，所述第二PMOS晶体管的漏极和所述第二NMOS晶体管的漏极相互连接，并连接到所述第一PMOS晶体管的栅极；所述第二PMOS晶体管的源极连接到直流电压，而所述第二NMOS晶体管的源极通过第二下拉控制元件连接到接地端；

所述第二反向器包括第三PMOS晶体管和第三NMOS晶体管；所述第三PMOS晶体管的栅极和所述第三NMOS晶体管的栅极相互连接，并连接到所述输入端；所述第三PMOS晶体管的漏极和所述第三NMOS晶体管的漏极相互连接，并连接到所述第一NMOS晶体管的栅极；所述第三PMOS晶体管的源极还通过第二上拉控制元件连接到所述直流电压，而所述第二NMOS晶体管的源极连接到所述接地端；

所述第二上拉控制元件和所述第二下拉控制元件分别为第五PMOS晶体管和第五NMOS晶体管；所述第五NMOS晶体管的栅极用于接收第一使能信号，且其漏极连接到所述第二NMOS晶体管的源极，而其源极连接到所述接地端；所述第五PMOS晶体管的栅极用于接收第二使能信号，且其漏极连接到所述第三PMOS晶体管的源极，而其源极连接到所述直流电压；所述第一使能信号和所述第二使能信号为相互反向的使能控制信号。

2.根据权利要求1所述的低速发射器电路，其特征在于，还包括电容切换单元，所述电容切换单元包括第一切换开关、第二切换开关和米勒电容；其中，所述第一切换开关和所述第二切换开关相互串联，并连接在所述第一反向器的输出端和所述第二反向器的输出端之间；所述米勒电容的一端连接在所述第一切换开关和所述第二切换开关之间，且其另一端连接到所述输出端。

3.根据权利要求2所述的低速发射器电路，其特征在于，所述第一切换开关和所述第二切换开关的开关状态可以受所述输入端的输入信号控制，且二者相关状态相反。

4.根据权利要求3所述的低速发射器电路，其特征在于，所述米勒电容用于减缓所述第一PMOS晶体管和所述第一NMOS晶体管的栅极的电压转换效率。

5.根据权利要求1所述的低速发射器电路，其特征在于，所述第一PMOS晶体管的源极连接到直流电压，且其漏极连接到所述第一NMOS晶体管的漏极，并且进一步连接到所述输出端；所述第一NMOS晶体管的源极连接到接地端。

6.根据权利要求5所述的低速发射器电路，其特征在于，所述第一PMOS晶体管的栅极还通过第一上拉控制元件连接到所述直流电压，而所述第一NMOS晶体管的栅极通过第一下拉控制元件连接到所述接地端。

7.根据权利要求6所述的低速发射器电路，其特征在于，所述第一上拉控制元件为第四PMOS晶体管，而所述第一下拉控制元件为第四NMOS晶体管；所述第四PMOS晶体管的栅极用于接收第一使能信号，且其源极连接到所述直流电压，而其漏极连接到所述第一PMOS晶体管的栅极；所述第四NMOS晶体管的栅极用于接收第二使能信号，且其源极连接到所述接地端，而其漏极连接到所述第一NMOS晶体管的栅极；所述第一使能信号和所述第二使能信号为相互反向的使能控制信号。