[发明专利]一种低速发射器电路

说明书

本发明提供了一种低速发射器电路。所述低速发射器电路包括输入端、第一级驱动单元、第二级驱动单元和输出端，其中，所述第一级驱动单元连接到所述输入端，且其包括第一反向器和第二反向器；所述第二级驱动单元连接到所述输出端，且其包括第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管，其中所述第一PMOS晶体管和所述第一NMOS晶体管的栅极分别通过所述第一反向器和第二反向器进行控制。

【技术领域】

本发明涉及电子接口系统技术领域，特别地，涉及一种高性能低速发射器电路。

【背景技术】

在电子接口系统中，常用的低速发射器电路主要是由偶数级反向器构成，且驱动能力逐级增大。比如，图1所示的低速发射器电路包括第一级反向器和第二级反向器，其中第一级反向器包括第一PMOS晶体管PM1和第一NMOS晶体管NM1，第二级反向器包括第二PMOS晶体管PM2和第二NMOS晶体管NM1；输入端D_IN接收到的信号经过第一级反向器之后，由第二级反向器去驱动负载电容Cload。

移动产业处理器接口(Mobile Industry Processor Interface简称MIPI)协议的低功率发射器规范对于发射器电路的上升时间tr、下降时间tf和电压转换效率等参数有具体要求。若采用图1所示的低速发射器电路的结构，如果上升时间tr和下降时间tf满足上述规范，则要求所述第二级反向器的第二PMOS晶体管PM2和第二NMOS晶体管NM2的尺寸不能太小，然而，当所述第二级反向器的晶体管尺寸较大时，所述低速发射器电路的电压转换效率又难以满足上述规范的要求。反之，如果把所述第二级反向器的尺寸调小来满足电压转换效率的参数要求时，所述低速发射器电路的上升时间tr和下降时间tf又难以满足上述规范的要求。也即是说，图1所示的低速发射器电路的上升时间tr和下降时间tf与电压转换效率存在矛盾。

而且，图1所示的低速发射器电路还存在一个问题，所述低速发射器电路的输出端D_OUT无法输出高阻态，不满足实际应用的要求。还有一种方案是在低速发射器电路中加入米勒电容来解决上升时间tr和下降时间tf与电压转换效率的矛盾问题，然而其仍然无法解决电路输出高阻态的需求，且由于引入米勒电容会导致低速发射器电路的输出端D_OUT的输出信号存在很大的毛刺，影响电路的可靠性。

有鉴于此，有必要提供一种高性能低速发射器电路，以解决现有技术存在的上述问题。

【发明内容】

本发明的目的在于提供一种可以解决上述问题的高性能低速发射器电路。

本发明首先提供一种低速发射器电路，包括输入端、第一级驱动单元、第二级驱动单元和输出端，其中，所述第一级驱动单元连接到所述输入端，且其包括第一反向器和第二反向器；所述第二级驱动单元连接到所述输出端，且其包括第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管，其中所述第一PMOS晶体管和所述第一NMOS晶体管的栅极分别通过所述第一反向器和第二反向器进行控制；

所述第一反向器包括第二PMOS晶体管和第二NMOS晶体管；所述第二PMOS晶体管的栅极和所述第二NMOS晶体管的栅极相互连接，并连接到所述输入端，所述第二PMOS晶体管的漏极和所述第二NMOS晶体管的漏极相互连接，并连接到所述第一PMOS晶体管的栅极；所述第二PMOS晶体管的源极连接到直流电压，而所述第二NMOS晶体管的源极通过第二下拉控制元件连接到接地端；

所述第二反向器包括第三PMOS晶体管和第三NMOS晶体管；所述第三PMOS晶体管的栅极和所述第三NMOS晶体管的栅极相互连接，并连接到所述输入端；所述第三PMOS晶体管的漏极和所述第三NMOS晶体管的漏极相互连接，并连接到所述第一NMOS晶体管的栅极；所述第三PMOS晶体管的源极还通过第二上拉控制元件连接到所述直流电压，而所述第二NMOS晶体管的源极连接到所述接地端；