[发明专利]透射电镜样品的制备方法在审
申请号: | 201611191297.X | 申请日: | 2016-12-21 |
公开(公告)号: | CN106442072A | 公开(公告)日: | 2017-02-22 |
发明(设计)人: | 高慧敏;张顺勇;汤光敏;卢勤 | 申请(专利权)人: | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
主分类号: | G01N1/28 | 分类号: | G01N1/28 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 430205 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明提供了一种透射电镜样品的制备方法,首先在芯片的正面粘贴一金属环;然后剥离所述芯片的背面至所需观测的结构层;最后切除所述金属环外围的芯片,保留了所述金属环连同所述金属环内的芯片,形成最终的透射电镜样品。此时整个金属环的内部均为薄区,进一步的,所述样品的面积已达mm2级别,实现了大面积透射电镜观测的效果,透射电镜能够对该样品进行大面积观测以寻找失效结构。 | ||
搜索关键词: | 透射 样品 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种透射电镜样品的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:在芯片的正面粘贴一金属环;剥离所述芯片的背面至所需观测的结构层;切除所述金属环外围的芯片,保留所述金属环连同所述金属环内的芯片,形成透射电镜样品。
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