[发明专利]频率可重构偶极子天线的GaAs基等离子pin二极管的制备方法

摘要

本发明涉及一种频率可重构偶极子天线的GaAs基等离子pin二极管的制备方法，该GaAs基等离子pin二极管用于制造频率可重构偶极子天线，该GaAs基等离子pin二极管制造方法包括选取某一晶向的GeOI衬底；在GeOI衬底上淀积GaAs层，通过光刻工艺形成隔离区；刻蚀GeOI衬底形成P型沟槽和N型沟槽；在P型沟槽和N型沟槽内采用离子注入形成P型有源区和N型有源区；光刻P型有源区和N型有源区，形成P型接触区和N型接触区；在P型接触区和所述N型接触区光刻引线孔以形成引线，以完成所述GaAs基等离子pin二极管的制备。本发明提供的可重构天线具有重量轻、结构简单、成本低、频率可快速跳变的特点。

主权项

一种频率可重构偶极子天线的GaAs基等离子pin二极管的制备方法，所述GaAs基等离子pin二极管用于制造所述频率可重构偶极子天线，其特征在于，所述频率可重构偶极子天线包括：GaAs基GeOI半导体基片(1)；采用半导体工艺固定在所述GaAs基GeOI半导体基片(1)上的第一天线臂(2)、第二天线臂(3)、同轴馈线(4)和第一直流偏置线(5)、第二直流偏置线(6)、第三直流偏置线(7)、第四直流偏置线(8)、第五直流偏置线(9)、第六直流偏置线(10)、第七直流偏置线(11)、第八直流偏置线(12)；其中，所述第一天线臂(2)和所述第二天线臂(3)分别设置于所述同轴馈线(4)的两侧且包括多个GaAs基等离子pin二极管串，在天线处于工作状态时，所述第一天线臂(2)和所述第二天线臂(3)根据所述多个GaAs基等离子pin二极管串的导通与关断实现天线臂长度的调节；所述第一直流偏置线(5)，所述第二直流偏置线(6)，所述第三直流偏置线(7)，所述第四直流偏置线(8)，所述第五直流偏置线(9)，所述第六直流偏置线(10)，所述第七直流偏置线(11)，所述第八直流偏置线(12)采用化学气相淀积的方法固定于所述GaAs基GeOI半导体基片(1)上，其材料为铜、铝或经过掺杂的多晶硅中的任意一种；其中，所述GaAs基等离子pin二极管的制备方法包括：选取某一晶向的GeOI衬底；在所述GeOI衬底上淀积GaAs层，通过光刻工艺形成隔离区；刻蚀所述GeOI衬底形成P型沟槽和N型沟槽；在所述P型沟槽和所述N型沟槽内采用离子注入形成P型有源区和N型有源区；光刻所述P型有源区和所述N型有源区，形成P型接触区和N型接触区；在所述P型接触区和所述N型接触区光刻引线孔以形成引线，以完成所述GaAs基等离子pin二极管的制备。