[发明专利]用于可重构多层全息天线的Ge基等离子pin二极管制备方法在审
| 申请号： | 201611184750.4 | 申请日： | 2016-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN106816684A | 公开（公告）日： | 2017-06-09 |
| 发明（设计）人： | 尹晓雪;张亮 | 申请（专利权）人： | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 主分类号： | H01Q1/22 | 分类号： | H01Q1/22;H01Q1/36;H01L21/329;H01L29/868 |
| 代理公司： | 西安智萃知识产权代理有限公司61221 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开一种用于可重构多层全息天线的Ge基等离子pin二极管制备方法，Ge基等离子pin二极管用于制作可重构多层全息天线，Ge基等离子pin二极管制备方法包括选取某一晶向的GeOI衬底，并在GeOI衬底内设置隔离区；刻蚀GeOI衬底形成P型沟槽和N型沟槽，P型沟槽和N型沟槽的深度小于GeOI衬底的顶层Ge的厚度；在P型沟槽和N型沟槽内采用离子注入形成第一P型有源区和第一N型有源区；填充P型沟槽和N型沟槽，并采用离子注入在GeOI衬底的顶层Ge内形成第二P型有源区和第二N型有源区；在GeOI衬底上形成引线，以完成Ge基等离子pin二极管的制备。本发明实施例利用深槽隔离技术及离子注入工艺能够制备适用于形成可重构多层全息天线的高性能Ge基等离子pin二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 可重构 多层 全息 天线 ge 等离子 pin 二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于可重构多层全息天线的Ge基等离子pin二极管的制备方法，其特征在于，所述Ge基等离子pin二极管用于制作所述可重构多层全息天线(1)，所述可重构多层全息天线(1)包括由依次串接的Ge基等离子pin二极管串构成的天线模块(13)、第一全息圆环(15)及第二全息圆环(17)；其中，所述等离子pin二极管串包括依次串接的等离子pin二极管，且所述等离子pin二极管制备方法包括步骤如下：(a)选取GeOI半导体基片(11)；(b)在所述GeOI半导体基片(11)内设置隔离区；(c)刻蚀所述GeOI衬底形成P型沟槽和N型沟槽，所述P型沟槽和所述N型沟槽的深度小于所述GeOI衬底的顶层Ge的厚度；(d)在所述P型沟槽和所述N型沟槽内采用离子注入形成第一P型有源区和第一N型有源区；(e)填充所述P型沟槽和所述N型沟槽，并采用离子注入在所述GeOI衬底的顶层Ge内形成第二P型有源区和第二N型有源区；(f)在所述GeOI衬底上生成二氧化硅，利用退火工艺激活有源区中的杂质；(g)在P型接触区和所述N型接触区光刻引线孔以完成所述Ge基等离子pin二极管的制备。
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