[发明专利]可重构多层全息天线异质Ge基pin二极管的制备工艺

摘要

本发明提供一种可重构多层全息天线异质Ge基pin二极管的制备工艺，包括步骤选取某一晶向的GeOI衬底；在GeOI衬底内刻蚀得到隔离槽形成隔离区；刻蚀GeOI衬底形成P型沟槽和N型沟槽；填充P型沟槽和N型沟槽，采用离子注入在P型沟槽内和N型沟槽内形成P型有源区、N型有源区、P型接触区和N型接触区；在P接触区和N接触区光刻引线孔形成引线，完成所述异质Ge基pin二极管的制备。本发明提供的天线通过在半导体基片上制作异质Ge基pin二极管，并且利用异质Ge基pin二极管构成源天线和全息结构，利用异质Ge基pin二极管串的导通或断开实现天线的可重构。因此，该天线具有体积小、易集成、结构简单、频率可快速跳变的特点。

主权项

一种可重构多层全息天线异质Ge基pin二极管的制备工艺，其特征在于，所述可重构多层全息天线包括：半导体基片(11)、天线模块(13)、第一全息圆环(15)及第二全息圆环(17)；所述天线模块(13)、所述第一全息圆环(15)及所述第二全息圆环(17)均采用半导体工艺制作于所述半导体基片(11)上；其中，所述天线模块(13)、所述第一全息圆环(15)及所述第二全息圆环(17)均包括依次串接的异质Ge基pin二极管串；其中，所述异质Ge基pin二极管的制备工艺包括步骤：选取某一晶向的GeOI衬底；在所述GeOI衬底内刻蚀得到隔离槽形成隔离区；刻蚀所述GeOI衬底形成P型沟槽和N型沟槽；填充所述P型沟槽和所述N型沟槽，采用离子注入在所述P型沟槽内和所述N型沟槽内形成P型有源区、N型有源区、P型接触区和N型接触区；在所述P接触区和所述N接触区光刻引线孔形成引线，完成所述异质Ge基pin二极管的制备。