[发明专利]一种低损伤晶片减薄工艺在审
| 申请号： | 201611183350.1 | 申请日： | 2016-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN106601590A | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 马学亮;陈平;张华;王永存 | 申请（专利权）人： | 上海电机学院 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海伯瑞杰知识产权代理有限公司31227 | 代理人： | 俞晨波 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种低损伤晶片减薄工艺，所述PMNT晶片表面分别标记为表面1与表面2，其工艺流程为PMNT晶片表面1的处理；PMNT晶片表面2的处理；PMNT晶片表面1与PMNT表面2的低损伤处理；清洗清洗去除氢氟酸缓冲液；所述PMNT晶片表面1与PMNT晶片表面2的低损伤处理的具体步骤为采用氢氟酸缓冲液对PMNT晶片的表面1与表面2进行湿法腐蚀以去除缺陷和损伤，时间控制在于10min±30s。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 损伤 晶片 工艺 | ||
【主权项】：
一种低损伤晶片减薄工艺，其特征在于：所述PMNT晶片表面分别标记为表面1与表面2，其工艺流程为：1)PMNT晶片表面1的处理；2)PMNT晶片表面2的处理；3)PMNT晶片表面1与PMNT表面2的低损伤处理；4)清洗：清洗去除氢氟酸缓冲液。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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