[发明专利]一种低损伤晶片减薄工艺

权利要求书

1.一种低损伤晶片减薄工艺，其特征在于：所述PMNT晶片表面分别标记为表面1与表面2，其工艺流程为：

1)PMNT晶片表面1的处理；

2)PMNT晶片表面2的处理；

3)PMNT晶片表面1与PMNT表面2的低损伤处理；

4)清洗：清洗去除氢氟酸缓冲液。

2.根据权利要求1所述的一种低损伤晶片减薄工艺，其特征在于：所述PMNT晶片表面1的处理的具体步骤为：

1)清洗<111>方向极化的PMNT晶片，厚度500μm±10μm；

2)均匀升温至57℃用粘结蜡将PMNT晶片的表面2粘贴在研磨基板上，自然冷却至室温；

3)采用颗粒为3μm的Al₂O₃和研磨垫对PMNT晶片表面1进行机械粗磨，使其减薄为厚度400μm±3μm；

4)采用颗粒为3μm的Al₂O₃和抛光垫对PMNT晶片表面2进行机械抛光，使其减薄为厚度390μm，平整度优于±2μm；

5)采用颗粒为1μm的Al₂O₃和抛光垫对PMNT晶片表面2进行机械抛光，使其减薄为厚度385μm，平整度优于±1μm；

6)均匀升温至57℃熔化粘结蜡，将PMNT晶片的表面2从研磨基板取下，自然冷却至室温；

7)清洗去粘结蜡。

3.根据权利要求1所述的一种低损伤晶片减薄工艺，其特征在于：所述PMNT晶片表面2的处理的具体步骤为：

1)均匀升温至57℃用粘结蜡将PMNT晶片的表面1粘贴在研磨基板上，自然冷却至室温；

2)采用颗粒为3μm的Al₂O₃和研磨垫对PMNT晶片表面2进行机械粗磨，使其减薄为厚度160μm±3μm；

3)采用颗粒为3μm的Al₂O₃和抛光垫对PMNT晶片表面2进行机械粗磨，使其减薄为厚度50μm±2μm；

4)采用颗粒为1μm的Al₂O₃和抛光垫对PMNT晶片表面2进行机械粗磨，使其减薄为厚度30μm±1μm；

5)均匀升温至57℃熔化粘结蜡，将PMNT晶片的表面1从研磨基板取下上，自然冷却至室温；

6)清洗去粘结蜡。

4.根据权利要求1所述的一种低损伤晶片减薄工艺，其特征在于：所述PMNT晶片表面1与PMNT晶片表面2的低损伤处理的具体步骤为采用氢氟酸缓冲液对PMNT晶片的表面1与表面2进行湿法腐蚀以去除缺陷和损伤，时间控制在于10min±30s。