[发明专利]FeSx有效

专利信息
申请号: 201611183072.X 申请日: 2016-12-20
公开(公告)号: CN108201893B 公开(公告)日: 2020-10-09
发明(设计)人: 王新炜;国政;邵友东 申请(专利权)人: 北京大学深圳研究生院
主分类号: B01J27/043 分类号: B01J27/043;B01J35/02;B01J37/00;C01G49/12;C07C241/02;C07C243/22
代理公司: 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 代理人: 王永文;刘文求
地址: 518055 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开FeSx薄膜、肼撑苯基化合物及沉积方法和制备方法,沉积方法包括步骤:将铁前驱体和硫前驱体送入放有基底的沉积腔室中,沉积腔室温度设定为20~400℃,进行FeSx薄膜的沉积;沉积结束后,进行降温处理,待温度降至室温后,将包覆有FeSx薄膜的基底取出。本发明使用ALD工艺在基底上制备了纳米级的FeSx薄膜(催化剂),并使用制备的FeSx催化剂催化芳基偶氮化合物选择性还原成肼撑苯基化合物。使用ALD制备的FeSx催化剂,各种类型的芳基偶氮化合物都能被选择性还原,且可在温和反应条件下实现高活性和选择性催化反应,所以采用ALD工艺制备的FeSx在有机合成方面具有广泛的应用前景。
搜索关键词: fes base sub
【主权项】:
1.一种采用原子层沉积的方法沉积FeSx薄膜的方法,其特征在于,包括步骤:将铁前驱体和硫前驱体送入放有基底的沉积腔室中,沉积腔室温度设定为20~400℃,进行FeSx薄膜的沉积;沉积结束后,进行降温处理,待温度降至室温后,将包覆有FeSx薄膜的基底取出。
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