[发明专利]一种准各向同性磁芯膜的制备方法有效

专利信息
申请号: 201611176435.7 申请日: 2016-12-19
公开(公告)号: CN106504891B 公开(公告)日: 2018-02-13
发明(设计)人: 白飞明;黄海明;钟智勇;张怀武 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01F41/18 分类号: H01F41/18;H01F10/14;H01F10/18
代理公司: 电子科技大学专利中心51203 代理人: 吴姗霖
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 一种准各向同性磁芯膜的制备方法,涉及高频磁性器件特别是片上集成电感类器件中磁性薄膜的制备领域。本发明将基片倾斜,使基片与靶材呈一定角度进行溅射,形成了倾斜柱状结构,引入了单轴各向异性场;本发明磁性薄膜/绝缘层/磁性薄膜三明治结构中,上下两层磁性薄膜为易轴方向相反的倾斜柱状结构,以产生合适的层间交换耦合作用,抵消由于不同长宽比带来的形状各向异性场,使得总的有效各向异性场仅取决于倾斜溅射诱导的各向异性场;本发明磁芯膜由多个三明治结构堆叠形成,相邻三明治结构中磁性薄膜的易轴相互垂直,且通过厚度为20nm以上的隔离层隔离层间交换耦合作用,从而使得磁芯膜各个方向上都有相近的有效各向异性场和较高的磁导率。
搜索关键词: 一种 各向同性 磁芯膜 制备 方法
【主权项】:
一种准各向同性磁芯膜的制备方法,包括以下步骤:步骤1:将靶材A与靶材B装入溅射室内,将基片放置于基片架上,所述基片架与靶材水平面成α角;步骤2:将基片架移动至靶材A的位置,采用溅射法在基片上溅射第一磁性薄膜层,然后将基片架移动至靶材B的位置,采用溅射法在第一磁性薄膜层上溅射绝缘层;步骤3:将基片架移动至靶材A的位置,并且将基片架旋转180度,此时,基片架与靶材水平面的夹角仍然为α,采用溅射法形成第二磁性薄膜层,即可得到第一磁性薄膜/绝缘层/第二磁性薄膜的三明治结构;步骤4:将基片架移动至靶材B的位置,采用溅射法形成隔离层;步骤5:将基片架旋转90度,然后重复步骤2、步骤3的过程,即可得到下一个三明治结构;步骤6:多次重复步骤2至步骤5的操作,即可得到多个三明治结构形成的三明治结构/隔离层/三明治结构的磁芯膜。
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