[发明专利]基于金-铁电单晶体系的负微分电阻效应器件及其制备有效
| 申请号： | 201611167302.3 | 申请日： | 2016-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN108206239B | 公开（公告）日： | 2019-10-01 |
| 发明（设计）人： | 张静;柯三黄 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | H01L47/00 | 分类号： | H01L47/00 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 林君如 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于金‑铁电单晶体系的负微分电阻效应器件及其制备，所述的负微分电阻效应器件包括分别作为源极和漏极的两个金电极，接触设置在两个金电极之间并构成中间散射区的铁电单晶，以及分别连接所述铁电单晶两边的栅极，所述的金电极、铁电单晶均为位于X轴和Y轴构成平面内的薄层材料，所述的两个金电极和铁电单晶以“金电极‑铁电单晶‑金电极”式的“三明治结构”沿Z轴周期性排列并构成所述负微分电阻效应器件。与现有技术相比，本发明的CdPbO3中Cd2+的4d轨道的态密度与金电极(Au)表面态之间耦合，导致在一定偏压范围内电流会随偏压增大反而减小的负微分电阻效应，有望成为下一代制备高性能电子元器件的候选。 | ||
| 搜索关键词： | 金电极 负微分电阻效应 铁电单晶 铁电单晶体 制备 电子元器件 三明治结构 制备高性能 周期性排列 薄层材料 接触设置 耦合 表面态 散射区 减小 漏极 源极 两边 轨道 | ||
【主权项】：
1.一种基于金‑铁电单晶体系的负微分电阻效应器件，其特征在于，包括分别作为源极和漏极的两个金电极，接触设置在两个金电极之间并构成中间散射区的铁电单晶，以及分别连接所述铁电单晶两边的栅极，所述的金电极、铁电单晶均为位于X轴和Y轴构成平面内的薄层材料，所述的两个金电极和铁电单晶以“金电极‑铁电单晶‑金电极”式的“三明治结构”沿Z轴周期性排列并构成所述负微分电阻效应器件；所述的两个金电极的间距为纳米量级，所述的铁电单晶薄层材料的沿Z轴方向的厚度为纳米量级；所述的铁电单晶为铁电晶体CdPbO3；负微分电阻效应，是利用所述铁电单晶的阳离子Cd的4d轨道的态密度与金电极表面态之间耦合而形成的。
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