[发明专利]一种制备硅微纳分级结构的新方法

摘要

本发明公开了一种制备硅微纳分级结构的新方法，包括以下步骤：S1、将清洗干净的硅片放入处于加热和搅拌状态的氢氧化钾和异丙醇混合溶液中进行刻蚀，获得尺寸和分布均匀的金字塔型硅微结构阵列；S2、在步骤S1获得的金字塔型硅微结构阵列表面集成粘附层/银纳米薄膜；S3、将经过步骤S2处理的样品放入含有卤素离子的盐溶液中进行点蚀反应，获得岛状银颗粒或多孔银膜；S4、将经过步骤S3处理的样品放入氢氟酸和过氧化氢的混合溶液中进行刻蚀，获得新型硅微纳分级结构。该制备方法具有成本低、操作简单、过程可控的优点，适于规模化生产，所得新型硅微纳结构具有很大的有效表面积，具有极强的实用价值，值得在内业推广。

主权项

1.一种制备硅微纳分级结构的方法，其特征在于包括以下步骤：S1、制备硅微结构阵列：在80～100℃的水浴环境中，将清洗干净的硅片放入处于搅拌状态的氢氧化钾和异丙醇混合溶液中进行刻蚀，获得金字塔型硅微结构阵列；S2、集成银纳米薄膜：在步骤S1获得的金字塔型硅微结构阵列表面沉积一层粘附层后，再在其表面集成银纳米薄膜；S3、点蚀银纳米薄膜：将经过步骤S2处理的样品放入含有卤素离子的盐溶液中，进行点蚀反应，获得多孔银膜；S4、制备硅微纳分级结构：将经过步骤S3处理后的样品放入氢氟酸和过氧化氢的混合溶液中，对其进行刻蚀，获得新型硅微纳分级结构；所述步骤S1中，氢氧化钾的质量浓度范围为20％～60％，异丙醇与去离子水的体积比为1：4；所述步骤S1中，控制转速范围为100rpm～800rpm；所述步骤S2中的粘附层为金属膜，厚度为1～5nm，所述金属膜为钛纳米膜、铬纳米膜、镍纳米膜或钛化钨纳米膜中的一种；银纳米薄膜的厚度为30～100nm。