[发明专利]NOR Flash器件及其制备方法

摘要

本发明提供一种NOR Flash器件及其制备方法，本发明的NOR Flash器件的制备方法通过调整刻蚀去除位于后续要形成连接通孔区域的所述浮栅多晶硅层、所述ONO层及所述反形STI结构上方的所述控制栅多晶硅层、所述ONO层的工艺，可以得到反形STI结构，使得后续得到的NOR Flash器件具有较高的有效场高度，在刻蚀过程中不会对有源区造成损伤，且最终形成金属插塞后的侧壁比较平缓，避免了尖端放电，从而提高了器件的性能及寿命。

主权项

1.一种NOR Flash器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：1)提供基底，在所述基底表面形成栅氧化层；2)在位于浮栅区域及后续要形成连接通孔区域的所述栅氧化层表面形成浮栅多晶硅层，并在所述基底内形成反形STI结构，所述反形STI结构的上表面高于所述栅氧化层的表面；3)在步骤2)得到的结构表面形成ONO层；4)在位于控制栅区域及所述反形STI结构上方的所述ONO层表面形成控制栅多晶硅层；5)刻蚀去除位于后续要形成连接通孔区域的所述浮栅多晶硅层、所述ONO层及所述反形STI结构上方的所述控制栅多晶硅层、所述ONO层；6)在裸露的所述栅氧化层及所述反形STI结构表面形成刻蚀阻挡层；7)在所述刻蚀阻挡层表面形成层间介质层；8)在对应于所述反形STI结构上方的所述层间介质层内形成开口，所述开口暴露出位于所述反形STI结构表面的所述刻蚀阻挡层；9)在所述开口内填充SiN层；10)刻蚀位于后需要形成连接通孔区域的所述层间介质层及所述刻蚀阻挡层以形成连接通孔；11)在所述连接通孔内填充金属以形成金属插塞。