[发明专利]SiC晶体切片设备及切片方法在审
| 申请号： | 201611154276.0 | 申请日： | 2016-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN108213697A | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | B23K26/06 | 分类号： | B23K26/06;B23K26/064;B23K26/38;B23K26/402 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 余昌昊 |
| 地址： | 201306 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种SiC晶体切片设备及切片方法，所述SiC晶体切片设备包括一激光源与一支撑台，所述激光源用于发出多束激光，所述支撑台用于支撑待切片的SiC锭；每束所述激光分别聚焦到所述SiC锭内的不同深度的位置处，激光照射的地方SiC分解为Si与C，从而易于将SiC切片从SiC锭上分离，提高切片的速率；并且由于激光源同时提供多束激光，能够同时照射同一SiC锭内不同深度的不同位置，从而实现多片SiC切片的照射，达到节约照射时间的目的，在一定程度上提高了切片的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 切片 切片设备 激光源 照射 多束激光 支撑台 激光照射 位置处 多片 激光 聚焦 分解 节约 支撑 | ||
【主权项】：
1.一种SiC晶体切片设备，其特征在于，包括一激光源与一支撑台，所述激光源用于发出多束激光，所述支撑台用于支撑待切片的SiC锭；每束所述激光分别聚焦到所述SiC锭内的不同深度的位置处。
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