[发明专利]图像传感器有效
申请号: | 201611152793.4 | 申请日: | 2016-12-14 |
公开(公告)号: | CN107039475B | 公开(公告)日: | 2021-02-19 |
发明(设计)人: | 李允基;李卿德;郑珉旭 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 张波 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本公开涉及图像传感器。一种图像传感器包括包含彼此对立的第一表面和第二表面的半导体层。多个单元像素在半导体层中。单元像素中的每个包括第一光电转换器和第二光电转换器。像素隔离层使相邻的单元像素彼此隔离。第一器件隔离层在第一光电转换器和第二光电转换器之间。像素隔离层具有与第一器件隔离层不同的形状。 | ||
搜索关键词: | 图像传感器 | ||
【主权项】:
一种图像传感器,包括:半导体层,其包括彼此对立的第一表面和第二表面;多个单元像素,其位于所述半导体层中,每一个单元像素包括第一光电转换器和第二光电转换器;第一隔离层,其使相邻的单元像素彼此隔离;以及第二隔离层,其在所述第一光电转换器和所述第二光电转换器之间,其中所述第一隔离层具有与所述第二隔离层不同的形状。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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