[发明专利]图像传感器

说明书

本公开涉及图像传感器。一种图像传感器包括包含彼此对立的第一表面和第二表面的半导体层。多个单元像素在半导体层中。单元像素中的每个包括第一光电转换器和第二光电转换器。像素隔离层使相邻的单元像素彼此隔离。第一器件隔离层在第一光电转换器和第二光电转换器之间。像素隔离层具有与第一器件隔离层不同的形状。

技术领域

实施方式涉及图像传感器和制造图像传感器的方法，更具体地，涉及背照式图像传感器和制造背照式图像传感器的方法。

背景技术

图像传感器可以将光学图像信号转换成电信号。图像传感器不仅可以被用于典型消费电子设备，诸如数码相机、用于移动电话的摄像头和便携式摄像机，而且还可以被用于安装在汽车、安保设备和机器人上的摄像头。然而，图像传感器中串扰的出现可以使通过使用图像传感器获得的图像的分辨率下降，而且使图像传感器的自动聚焦(AF)性能下降。

发明内容

一种或更多实施方式提供一种图像传感器，该图像传感器包括：半导体层，其包括彼此对立的第一表面和第二表面；多个单元像素，其位于半导体层中，每个单元像素包括第一光电转换器和第二光电转换器；第一隔离层，其被配置为使相邻的单元像素彼此隔离；以及第二隔离层，其位于第一光电转换器和第二光电转换器之间。第一隔离层具有与第二隔离层不同的形状。

一种或更多实施方式提供一种图像传感器，其包括：包含彼此对立的第一表面和第二表面的衬底，例如硅衬底，该硅衬底包括其中布置多个单元像素的像素阵列区域；像素隔离区域，其通过用绝缘材料填充隔离沟槽形成，像素隔离区域被配置为使相邻的单元像素彼此隔离；互连层，其在硅衬底的第一表面上；以及颜色滤光器层和ML层，其在硅衬底的第二表面上。单元像素中的每一个包括至少两个光电转换器和形成在硅衬底的第一表面和第二表面之间的器件隔离区域，并且像素隔离区域具有与器件隔离区域不同的宽度和/或深度。

一种或更多实施方式提供一种图像传感器，包括：半导体层，其包括彼此对立的第一表面和第二表面；多个单元像素，其在半导体层中于第一表面和第二表面之间，每个单元像素包括第一光电转换器和第二光电转换器；第一隔离层，其使相邻的单元像素彼此隔离，第一隔离层在第一表面和第二表面之间延伸；以及第二隔离层，其在第一光电转换器和第二光电转换器之间，第二隔离层在第一表面和第二表面之间延伸。第一隔离层具有与第二隔离层不同的形状因子。

附图说明

通过参考附图详细描述示例性实施方式，对于本领域技术人员来说特征将变得明显，其中：

图1示出根据一实施方式的图像传感器的俯视图；

图2示出根据一实施方式的图像传感器的剖视图；

图3示出根据一实施方式的图像传感器的示意框图；

图4示出根据一实施方式的单元像素的一部分的电路图；

图5示出根据一实施方式的形成在半导体衬底上的图4的单元像素的该部分的俯视图；

图6A到6C示出用来解释用于根据一实施方式的图像传感器的光探测方法的示意图；

图7示出根据一实施方式的图像传感器的基本构件的剖视图；

图8示出根据一实施方式的图像传感器的基本构件的俯视图；

图9示出根据一实施方式的图像传感器的基本构件的剖视图；

图10示出根据一实施方式的图像传感器的基本构件的剖视图；

图11示出根据一实施方式的图像传感器的基本构件的剖视图；

图12示出根据一实施方式的图像传感器的基本构件的剖视图；

图13示出根据一实施方式的图像传感器的基本构件的剖视图；