[发明专利]图像传感器

权利要求书

1.一种图像传感器，包括：

半导体层，其包括彼此对立的第一表面和第二表面；

多个单元像素，其位于所述半导体层中，每一个单元像素包括第一光电转换器和第二光电转换器；

第一隔离层，其使相邻的单元像素彼此隔离，所述第一隔离层包括在第一隔离沟槽中的绝缘材料；以及

第二隔离层，其在所述第一光电转换器和所述第二光电转换器之间，所述第二隔离层包括在第二隔离沟槽中的绝缘材料，

其中所述第一隔离沟槽具有与所述第二隔离沟槽不同的形状。

2.如权利要求1所述的图像传感器，其中：

所述第一隔离层和所述第二隔离层从所述半导体层的所述第二表面向所述半导体层的所述第一表面延伸，以及

所述第一隔离层与所述第二隔离层相比更靠近所述半导体层的所述第一表面。

3.如权利要求1所述的图像传感器，其中：

所述第一隔离层和所述第二隔离层从所述半导体层的所述第一表面向所述半导体层的所述第二表面延伸，以及

所述第一隔离层与所述第二隔离层相比更靠近所述半导体层的所述第二表面。

4.如权利要求1所述的图像传感器，其中：

所述第一隔离层和所述第二隔离层分别具有第一宽度和第二宽度，以及

所述第一宽度大于所述第二宽度。

5.如权利要求1所述的图像传感器，其中：

所述第一隔离层和所述第二隔离层分别具有第一宽度和第二宽度，以及

所述第一宽度小于所述第二宽度。

6.如权利要求1所述的图像传感器，其中所述第一隔离层包括相比于所述半导体层中包括的材料具有更低的折射率的材料。

7.如权利要求1所述的图像传感器，还包含交叉所述第二隔离层的第三隔离层，所述第三隔离层位于所述第一光电转换器和所述第二光电转换器中。

8.如权利要求7所述的图像传感器，其中所述第二隔离层的两端和所述第三隔离层的两端与所述第一隔离层接触。

9.如权利要求7所述的图像传感器，其中所述第二隔离层的两端和所述第三隔离层的两端与所述第一隔离层间隔开。

10.如权利要求7所述的图像传感器，其中交叉区域靠近所述单元像素的一边缘与所述单元像素的中心间隔开预定的距离，在所述交叉区域所述第二隔离层交叉所述第三隔离层。

11.如权利要求1所述的图像传感器，还包含：

互连层，其在所述半导体层的所述第一表面上；以及

在所述半导体层的所述第二表面上的颜色滤光器层和微透镜(ML)层。

12.一种图像传感器，包括：

衬底，其具有彼此对立的第一表面和第二表面，所述衬底包括其中布置多个单元像素的像素阵列区域；

像素隔离区域，其包括像素隔离沟槽中的绝缘材料，所述像素隔离区域使相邻的单元像素彼此隔离；

互连层，其在所述衬底的所述第一表面上；以及

在所述衬底的所述第二表面上的颜色滤光器层和微透镜(ML)层，

其中所述单元像素中的每一个包括：

至少两个光电转换器；以及

器件隔离区域，其在所述衬底的所述第一表面和所述第二表面之间，所述器件隔离区域包括在器件隔离沟槽中的绝缘材料，以及

其中所述像素隔离沟槽具有与所述器件隔离沟槽不同的宽度和/或深度。

13.如权利要求12所述的图像传感器，其中所述器件隔离区域包括：

第一器件隔离层，其使所述至少两个光电转换器彼此隔离；以及

第二器件隔离层，其在所述光电转换器中的每一个中。