[发明专利]一种CIGS薄膜太阳能电池及其制备方法在审
| 申请号： | 201611145360.6 | 申请日： | 2016-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN108231915A | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 郭凯;于涛;张传升;宋斌斌;左宁;李新连;赵树利;陈颉 | 申请（专利权）人： | 神华集团有限责任公司;北京低碳清洁能源研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/032;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 陈静;严政 |
| 地址： | 100011 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及CIGS薄膜太阳能电池领域，公开了一种CIGS薄膜太阳能电池制备方法，该电池包括依次层叠的衬底、金属背电极、铜铟镓硒薄膜、缓冲层、窗口层，所述铜铟镓硒薄膜的导带底比所述缓冲层材料的导带底高0.001～0.1eV。制备CIGS薄膜太阳能电池的方法包括：在衬底上依次层叠形成金属背电极、铜铟镓硒薄膜、缓冲层、窗口层，其中，所述铜铟镓硒薄膜的导带底比所述缓冲层的导带底高0.001‑0.1eV。本发明提供的CIGS薄膜太阳能电池具有无毒且高透过率的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 铜铟镓硒薄膜 导带 缓冲层 制备 金属背电极 依次层叠 窗口层 衬底 缓冲层材料 高透过率 无毒 电池 | ||
【主权项】：
1.一种CIGS薄膜太阳能电池，该电池包括依次层叠的衬底、金属背电极、铜铟镓硒薄膜、缓冲层和窗口层，其特征在于，所述铜铟镓硒薄膜的导带底比所述缓冲层材料的导带底高0.001～0.1eV。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于神华集团有限责任公司;北京低碳清洁能源研究所，未经神华集团有限责任公司;北京低碳清洁能源研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611145360.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：3D成像光电模块
- 下一篇：一种抗电势诱导衰减的光伏组件
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
