[发明专利]一种CIGS薄膜太阳能电池及其制备方法在审
| 申请号： | 201611145360.6 | 申请日： | 2016-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN108231915A | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 郭凯;于涛;张传升;宋斌斌;左宁;李新连;赵树利;陈颉 | 申请（专利权）人： | 神华集团有限责任公司;北京低碳清洁能源研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/032;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 陈静;严政 |
| 地址： | 100011 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 铜铟镓硒薄膜 导带 缓冲层 制备 金属背电极 依次层叠 窗口层 衬底 缓冲层材料 高透过率 无毒 电池 | ||
1.一种CIGS薄膜太阳能电池，该电池包括依次层叠的衬底、金属背电极、铜铟镓硒薄膜、缓冲层和窗口层，其特征在于，所述铜铟镓硒薄膜的导带底比所述缓冲层材料的导带底高0.001～0.1eV。
2.根据权利要求1所述的电池，其中，所述缓冲层材料的禁带宽度为3～3.2eV。
3.根据权利要求1或2所述的电池，其中，所述缓冲层为二氧化钛薄膜。
4.根据权利要求1-3中任意一项所述的电池，其中，所述缓冲层的厚度为1～100nm；优选为5～90nm；更优选为10～80nm；进一步优选为20～75nm。
5.根据权利要求1-4中任意一项所述的电池，其中，在所述铜铟镓硒薄膜中，以其中含有的总原子数为基准，铜原子数占比为20～22％，铟原子数占比为17～22％，镓原子数占比为5～13％，以及硒原子数占比为50～51％。
6.根据权利要求1-5中任意一项所述的电极，其中，所述衬底为钠钙玻璃；优选地，
所述金属背电极为钼背电极；优选地，
所述窗口层包括本征氧化锌薄膜和掺铝氧化锌薄膜。
7.一种制备CIGS薄膜太阳能电池的方法，该方法包括：在衬底上依次层叠形成金属背电极、铜铟镓硒薄膜、缓冲层和窗口层，其中，所述铜铟镓硒薄膜的导带底比所述缓冲层的导带底高0.001-0.1eV。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述缓冲层材料的禁带宽度为3～3.2eV；优选地，
所述缓冲层为二氧化钛薄膜。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，形成所述缓冲层的过程包括：将在衬底上层叠形成有金属背电极和铜铟镓硒薄膜的电池中间体与四氯化钛溶液进行第一接触；优选地，
所述第一接触的条件包括：温度为40～100℃，时间为20～180min。
10.权利要求7-9中任意一项所述的方法制备得到的CIGS薄膜太阳能电池。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
