[发明专利]用于激光后碎屑移除系统和方法的牺牲层在审
| 申请号： | 201611142764.X | 申请日： | 2016-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN106876266A | 公开（公告）日： | 2017-06-20 |
| 发明（设计）人： | 哈比卜·希什里 | 申请（专利权）人： | SUSS麦克瑞泰克光子系统公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请案涉及用于激光后碎屑移除系统和方法的牺牲层。作为实施例，从晶片移除激光后碎屑的方法包含在待图案化层上方形成牺牲层；使用激光烧蚀图案化所述牺牲层和所述待图案化层；和用水移除所述牺牲层和沉积在所述牺牲层上的碎屑。所述牺牲层包含水溶性粘合剂和水溶性紫外光UV吸收剂。还描述用于移除所述激光后碎屑的系统。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 激光 碎屑 系统 方法 牺牲 | ||
【主权项】：
一种从晶片移除激光后碎屑的方法，其包括：在待图案化层上方形成牺牲层，其中所述牺牲层包括水溶性粘合剂和水溶性紫外光UV吸收剂；使用激光烧蚀图案化所述牺牲层和所述待图案化层；和用水移除所述牺牲层和沉积在所述牺牲层上的碎屑。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于SUSS麦克瑞泰克光子系统公司，未经SUSS麦克瑞泰克光子系统公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611142764.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种多功能组合式测量尺
- 下一篇：一种具有自动提示满箱状态的爱心捐衣箱
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
