[发明专利]用于激光后碎屑移除系统和方法的牺牲层在审
申请号: | 201611142764.X | 申请日: | 2016-12-09 |
公开(公告)号: | CN106876266A | 公开(公告)日: | 2017-06-20 |
发明(设计)人: | 哈比卜·希什里 | 申请(专利权)人: | SUSS麦克瑞泰克光子系统公司 |
主分类号: | H01L21/3105 | 分类号: | H01L21/3105 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人: | 路勇 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 激光 碎屑 系统 方法 牺牲 | ||
1.一种从晶片移除激光后碎屑的方法,其包括:
在待图案化层上方形成牺牲层,其中所述牺牲层包括水溶性粘合剂和水溶性紫外光UV吸收剂;
使用激光烧蚀图案化所述牺牲层和所述待图案化层;和
用水移除所述牺牲层和沉积在所述牺牲层上的碎屑。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述激光烧蚀使用准分子激光。
3.根据权利要求2所述的方法,其中准分子激光包括248nm、308nm或355nm准分子激光。
4.根据权利要求1所述的方法,其中所述水溶性粘合剂选自由以下各者组成的群组:聚乙烯醇PVA、聚乙烯吡咯烷酮PVP、聚氧化乙烯PEO、聚丙烯酸材料、乙基纤维素、甲酯,以及其组合。
5.根据权利要求1所述的方法,其中所述水溶性UV吸收剂选自由以下各者组成的群组:苯并三唑类UV吸收剂材料、三嗪类UV吸收剂材料,以及其组合。
6.根据权利要求1所述的方法,其中所述牺牲层为约0.5微米到2微米厚。
7.根据权利要求6所述的方法,其中所述牺牲层为约1微米到1.5微米厚。
8.根据权利要求1所述的方法,其中所述待图案化层包括介电材料、玻璃、金属,或其组合。
9.根据权利要求1所述的方法,其中所述牺牲层中的所述水溶性粘合剂与所述水溶性UV吸收剂的比率为从约30:1到约5:1。
10.根据权利要求1所述的方法,其中所述水溶性粘合剂包括聚氧化乙烯PEO,且所述水溶性UV吸收剂包括液体羟苯基三嗪。
11.根据权利要求1所述的方法,其中移除所述牺牲层和所述碎屑包括在所述牺牲层上喷淋水,或使用水浴。
12.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括在用水移除所述牺牲层和碎屑之后,用醇冲洗所述待图案化层。
13.一种用于执行根据权利要求1所述的方法的系统,其包括:
激光烧蚀系统;
水碎屑移除系统;和
晶片处理系统。
14.一种从晶片移除激光后碎屑的方法,其包括:
组合水溶性粘合剂与水溶性紫外光UV吸收剂以形成溶液;
将所述溶液应用于介电、玻璃或金属层上以形成牺牲层;
使用激光烧蚀图案化所述牺牲层和所述介电、玻璃或金属层;和
用水移除所述牺牲层和沉积在所述牺牲层上的碎屑。
15.根据权利要求14所述的方法,其中所述溶液包括约1重量%到10重量%的所述水溶性粘合剂。
16.根据权利要求15所述的方法,其中所述水溶性粘合剂包括聚氧化乙烯PEO,且所述水溶性UV吸收剂包括液体羟苯基三嗪。
17.根据权利要求14所述的方法,其中所述激光烧蚀使用准分子激光。
18.根据权利要求14所述的方法,其中所述水溶性粘合剂选自由以下各者组成的群组:聚乙烯醇PVA、聚乙烯吡咯烷酮PVP、聚氧化乙烯PEO、聚丙烯酸材料、乙基纤维素、甲酯,以及其组合。
19.根据权利要求14所述的方法,其中所述水溶性UV吸收剂选自由以下各者组成的群组:苯并三唑类UV吸收剂材料、三嗪类UV吸收剂材料,以及其组合。
20.根据权利要求14所述的方法,其中所述牺牲层为约1微米到1.5微米厚。
21.根据权利要求14所述的方法,其进一步包括在用水移除所述牺牲层和碎屑之后,用醇冲洗所述介电、玻璃或金属层。
22.一种用于执行根据权利要求14所述的方法的系统,其包括:
激光烧蚀系统;
水碎屑移除系统;和
晶片处理系统。
23.一种从晶片移除激光后碎屑的方法,其包括:
形成包括水溶性粘合剂和水溶性紫外光UV吸收剂的溶液;
在介电层上形成牺牲层;
使用准分子激光烧蚀图案化所述牺牲层和所述介电层;和
通过水喷淋移除沉积在所述牺牲层上的碎屑和所述牺牲层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于SUSS麦克瑞泰克光子系统公司,未经SUSS麦克瑞泰克光子系统公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造