[发明专利]平板显示设备、薄膜晶体管基板及其制作方法有效
| 申请号： | 201611122290.2 | 申请日： | 2016-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN106601668B | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 姚江波 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 钟子敏 |
| 地址： | 518006 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管基板制作方法，包括：在衬底上依次形成第一金属电极层、第一金属电极绝缘层以及金属氧化物半导体层；在预设的金属氧化物沟道区域以及第二金属电极沟道区域形成孔状自堆积的过渡层；在金属氧化物半导体层以及所述过渡层上形成第二金属电极层；剥离所述过渡层及其上的所述第二金属电极层；形成第二金属电极绝缘层以及像素电极层。通过实施本发明，能够在保持原有简单的工艺流程的基础上增加过渡层，从而对金属氧化物半导体形成保护，减少了后续蚀刻工艺对金属氧化物半导体层的损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 平板 显示 设备 薄膜晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管基板制作方法，其特征在于，包括：在衬底上依次形成第一金属电极层、第一金属电极绝缘层以及金属氧化物半导体层；在预设的金属氧化物沟道区域以及第二金属电极沟道区域形成孔状自堆积的过渡层；在金属氧化物半导体层以及所述过渡层上形成第二金属电极层；剥离所述过渡层及其上的所述第二金属电极层；形成第二金属电极绝缘层以及像素电极层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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