[发明专利]平板显示设备、薄膜晶体管基板及其制作方法有效
| 申请号： | 201611122290.2 | 申请日： | 2016-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN106601668B | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 姚江波 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 钟子敏 |
| 地址： | 518006 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 平板 显示 设备 薄膜晶体管 及其 制作方法 | ||
1.一种薄膜晶体管基板制作方法，其特征在于，包括：
在衬底上依次形成第一金属电极层、第一金属电极绝缘层以及金属氧化物半导体层；
在预设的金属氧化物沟道区域以及第二金属电极沟道区域形成孔状自堆积的过渡层；
在金属氧化物半导体层以及所述过渡层上形成第二金属电极层；
剥离所述过渡层及其上的所述第二金属电极层；
形成第二金属电极绝缘层以及像素电极层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述在预设的金属氧化物沟道区域以及第二金属电极沟道区域形成孔状自堆积的过渡层包括：
在所述金属氧化物半导体层及暴露的所述第一金属电极绝缘层形成光阻层；
将对应第二金属电极走线区域及所述金属氧化物半导体与所述第二金属电极接触区域的光阻去除；
对对应金属氧化物沟道区域以及第二金属电极沟道区域的剩余光阻进行灰化处理，形成孔状自堆积的碳氧化合物层。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，
所述灰化处理利用干法蚀刻设备，对所述预设的金属氧化物沟道区域以及第二金属电极沟道区域的光阻进行离子轰击，及氧化处理。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，
所述离子轰击使用氧气、氩气、四氟化碳等中的一种或几种的组合。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述第一金属电极层、金属氧化物半导体层均通过金属溅射沉积、黄光蚀刻工艺形成。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述第一金属电极绝缘层通过化学气相沉积、黄光蚀刻工艺形成。
7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，
所述碳氧化合物层厚度为直径约间距约
8.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，
所述光阻层厚度为
9.一种薄膜晶体管基板，其特征在于，由权利要求1-8任一项所述的方法制成。
10.一平板显示设备，其特征在于，包括如权利要求9所述的基板。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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