[发明专利]平板显示设备、薄膜晶体管基板及其制作方法

说明书

本发明公开了一种薄膜晶体管基板制作方法，包括：在衬底上依次形成第一金属电极层、第一金属电极绝缘层以及金属氧化物半导体层；在预设的金属氧化物沟道区域以及第二金属电极沟道区域形成孔状自堆积的过渡层；在金属氧化物半导体层以及所述过渡层上形成第二金属电极层；剥离所述过渡层及其上的所述第二金属电极层；形成第二金属电极绝缘层以及像素电极层。通过实施本发明，能够在保持原有简单的工艺流程的基础上增加过渡层，从而对金属氧化物半导体形成保护，减少了后续蚀刻工艺对金属氧化物半导体层的损伤。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及平板显示设备、薄膜晶体管基板及其制作方法。

背景技术

目前金属铟镓锌氧化物薄膜晶体管(即IGZO TFT)是当前薄膜晶体管领域的研究热点，其最常见的结构有蚀刻阻挡型(ESL)、背沟道蚀刻型(BCE)。其中，背沟道蚀刻型(BCE)结构是目前研发制造的主流结构，制作工艺简单，成品率高，且成本低。

但是，在工业制程当中，背沟道蚀刻型结构中的金属氧化物IGZO层没有保护层，在形成源漏金属电极时蚀刻药液很容易对金属氧化物IGZO层造成破坏，从而会损坏金属氧化物IGZO的特性。

发明内容

本发明主要解决的技术问题是提供一种薄膜晶体管基板制作方法、薄膜晶体管基板以及薄膜晶体管，能够对金属氧化物半导体层形成保护，减少后续蚀刻工艺对金属氧化物半导体层的损伤。

为解决上述技术问题，本发明采用的一种技术方案是：提供一种薄膜晶体管基板制作方法，包括：在衬底上依次形成第一金属电极层、第一金属电极绝缘层以及金属氧化物半导体层；在预设的金属氧化物沟道区域以及第二金属电极沟道区域形成孔状自堆积的过渡层；在金属氧化物半导体层以及所述过渡层上形成第二金属电极层；剥离所述过渡层及其上的所述第二金属电极层；形成第二金属电极绝缘层以及像素电极层。

其中，所述在预设的金属氧化物沟道区域以及第二金属电极沟道区域形成孔状自堆积的过渡层包括：在所述金属氧化物半导体层及暴露的所述第一金属电极绝缘层形成光阻层；将对应第二金属电极走线区域及所述金属氧化物半导体与所述第二金属电极接触区域的光阻去除；对对应金属氧化物沟道区域以及第二金属电极沟道区域的剩余光阻进行灰化处理，形成孔状自堆积的碳氧化合物层。

具体地，所述灰化处理利用干法蚀刻设备，对所述预设的金属氧化物沟道区域以及第二金属电极沟道区域的光阻进行离子轰击，及氧化处理。

具体地，所述离子轰击使用氧气、氩气、四氟化碳等中的一种或几种的组合。

进一步地，所述第一金属电极层、金属氧化物半导体层均通过金属溅射沉积、黄光蚀刻工艺形成。

同时，所述第一金属电极绝缘层通过化学气相沉积、黄光蚀刻工艺形成。

其中，所述碳氧化合物层厚度为直径约间距约

其中，所述光阻层厚度为

为解决上述技术问题，本发明采用的又一种技术方案是：提供一种薄膜晶体管基板，所述薄膜晶体管基板由上述方法中的任一项制成。

为解决上述技术问题，本发明采用的再一种技术方案是：提供一种平板显示设备，包括上述的薄膜晶体管基板。

本发明的有益效果是：区别于现有技术的情况，本发明通过在对原有的第二金属电极沟道区域形成孔状自堆积的过渡层的工艺中，对预设的金属氧化物沟道区域也形成相应的过渡层，使得在进一步对形成的第二金属电极层进行蚀刻时，阻挡了蚀刻液流入金属氧化物半导体层，进而减少了金属氧化物半导体层受到蚀刻液的损伤，在不增加额外工艺的基础上有效得保护了金属氧化物半导体层。

附图说明

图1是本发明薄膜晶体管基板制作方法一实施例的流程示意图；