[发明专利]硅交流避雷器专用集成电路在审
| 申请号： | 201611113177.8 | 申请日： | 2016-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN108172575A | 公开（公告）日： | 2018-06-15 |
| 发明（设计）人： | 李文联;李杨 | 申请（专利权）人： | 湖北文理学院 |
| 主分类号： | H01L27/08 | 分类号： | H01L27/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 441053 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种硅交流避雷器专用集成电路，所采用的技术方案是：在硅芯片中制作多个双向瞬态抑制二极管，使多个双向瞬态抑制二极管采用先串联再并联的方式组成电路，两端接出引出电极，中间接出测试电极，最后用绝缘外壳进行封装,即构成了交流避雷器专用集成电路。可以代替氧化锌压敏电阻片组装交流避雷器。具有体积小，生产方法简单，安装和使用方便等优点。 1 | ||
| 搜索关键词： | 专用集成电路 双向瞬态抑制二极管 交流避雷器 避雷器 硅交流 氧化锌压敏电阻片 硅芯片 测试电极 绝缘外壳 引出电极 体积小 并联 封装 串联 电路 组装 制作 生产 | ||
【主权项】：
1.一种硅交流避雷器专用集成电路，包括硅芯片（1）、双向瞬态抑制二极管（2）、引出电极（3）、测试电极（4）和绝缘外壳（5），其特征在于：所述硅交流避雷器专用集成电路是在硅芯片（1）中制作多个双向瞬态抑制二极管（2），使多个双向瞬态抑制二极管（2）采用先串联再并联的方式组成电路，两端接出引出电极（3），中间接出测试电极（4），最后用绝缘外壳（5）进行封装。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
