[发明专利]硅交流避雷器专用集成电路在审
| 申请号： | 201611113177.8 | 申请日： | 2016-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN108172575A | 公开（公告）日： | 2018-06-15 |
| 发明（设计）人： | 李文联;李杨 | 申请（专利权）人： | 湖北文理学院 |
| 主分类号： | H01L27/08 | 分类号： | H01L27/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 441053 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 专用集成电路 双向瞬态抑制二极管 交流避雷器 避雷器 硅交流 氧化锌压敏电阻片 硅芯片 测试电极 绝缘外壳 引出电极 体积小 并联 封装 串联 电路 组装 制作 生产 | ||
本发明提供一种硅交流避雷器专用集成电路，所采用的技术方案是：在硅芯片中制作多个双向瞬态抑制二极管，使多个双向瞬态抑制二极管采用先串联再并联的方式组成电路，两端接出引出电极，中间接出测试电极，最后用绝缘外壳进行封装,即构成了交流避雷器专用集成电路。可以代替氧化锌压敏电阻片组装交流避雷器。具有体积小，生产方法简单，安装和使用方便等优点。
技术领域
本发明涉及一种集成电路，具体的说是一种硅交流避雷器专用集成电路。
背景技术
目前，市面上现有的避雷器大都是由多片氧化锌压敏电阻片构成的，氧化锌压敏电阻片是一种具有非线性电压特性的陶瓷产品，但体积较大，烧结工艺复杂，安装使用不方便。
发明内容
本发明的目的在于提供一种硅交流避雷器专用集成电路，利用硅芯片制成体积很小的交流避雷器专用集成电路，代替氧化锌压敏电阻片组装交流避雷器，可以减小交流避雷器的体积，简化生产工艺，方便安装和使用。
本发明包括硅芯片、双向瞬态抑制二极管、引出电极、测试电极和绝缘外壳，所采用的技术方案是：在硅芯片中制作多个双向瞬态抑制二极管，使多个双向瞬态抑制二极管采用先串联再并联的方式组成电路，两端接出引出电极，中间接出测试电极，最后用绝缘外壳进行封装,即构成了交流避雷器专用集成电路。
本发明的有益效果在于：通过上述技术方案的配置，构成了一种硅交流避雷器专用集成电路，可以代替氧化锌压敏电阻片组装交流避雷器。具有体积小，生产方法简单，安装和使用方便等优点。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明作进一步详述。
图1为本发明的结构示意图。
具体实施方式
图1所示：在硅芯片1中制作多个双向瞬态抑制二极管2，使多个双向瞬态抑制二极管2采用先串联再并联的方式组成电路，两端接出引出电极3，中间接出测试电极4，最后用绝缘外壳5进行封装,即构成了交流避雷器专用集成电路。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
