[发明专利]非挥发性存储器

摘要

本发明公开一种非挥发性存储器，包括以下构件。浮置栅极晶体管、选择晶体管与应力释放晶体管设置于基底上且彼此串接。应力释放晶体管位于浮置栅极晶体管与选择晶体管之间。应力释放晶体管具有由式(1)所示的应力释放比。应力释放比的下限值由进行编程操作时，非选定的非挥发性存储器的应力释放晶体管的可承受漏极侧电压所决定。应力释放比的上限值由进行读取操作时，选定的非挥发性存储器的可读取漏极电流所决定。所述非挥发性存储器可有效地降低选择晶体管所承受到的应力。应力释放比＝应力释放晶体管的通道长度/应力释放晶体管的栅介电层厚度 (1)。

主权项

一种非挥发性存储器，其特征在于，包括：基底；以及浮置栅极晶体管、选择晶体管与应力释放晶体管，设置于所述基底上且彼此串接，其中所述应力释放晶体管位于所述浮置栅极晶体管与所述选择晶体管之间，且所述应力释放晶体管具有由式(1)所示的应力释放比：所述应力释放比＝所述应力释放晶体管的通道长度/所述应力释放晶体管的栅介电层厚度(1)其中，所述应力释放比的下限值由进行编程操作时，非选定的所述非挥发性存储器的所述应力释放晶体管的可承受漏极侧电压所决定，且所述应力释放比的上限值由进行读取操作时，选定的所述非挥发性存储器的可读取漏极电流所决定。