[发明专利]非挥发性存储器

权利要求书

1.一种非挥发性存储器，其特征在于，包括：

基底；以及

浮置栅极晶体管、选择晶体管与应力释放晶体管，设置于所述基底上且彼此串接，其中所述应力释放晶体管位于所述浮置栅极晶体管与所述选择晶体管之间，且

所述应力释放晶体管具有由式(1)所示的应力释放比：

所述应力释放比＝所述应力释放晶体管的通道长度/所述应力释放晶体管的栅介电层厚度 (1)

其中，所述应力释放比的下限值由进行编程操作时，非选定的所述非挥发性存储器的所述应力释放晶体管的可承受漏极侧电压所决定，且

所述应力释放比的上限值由进行读取操作时，选定的所述非挥发性存储器的可读取漏极电流的最小值所决定。

2.根据权利要求1所述的非挥发性存储器，其特征在于，所述浮置栅极晶体管、所述选择晶体管与所述应力释放晶体管通过共用掺杂区而进行串接。

3.根据权利要求1所述的非挥发性存储器，其特征在于，所述应力释放比为15至35。

4.根据权利要求1所述的非挥发性存储器，其特征在于，

所述浮置栅极晶体管包括：

浮置栅极，设置于所述基底上；

第一掺杂区与第二掺杂区，分别设置于所述浮置栅极两侧的所述基底中；以及

第一介电层，设置于所述浮置栅极与所述基底之间；所述选择晶体管，包括：

选择栅极，设置于所述基底上；

第三掺杂区与第四掺杂区，分别设置于所述选择栅极两侧的所述基底中；以及

第二介电层，设置于所述选择栅极与所述基底之间；

所述应力释放晶体管包括：

应力释放栅极，设置于所述基底上；

所述第二掺杂区与所述第三掺杂区，其中所述第二掺杂区位于所述浮置栅极与所述应力释放栅极之间，且所述第三掺杂区位于所述选择栅极与所述应力释放栅极之间；以及

第三介电层，设置于所述应力释放栅极与所述基底之间。

5.根据权利要求4所述的非挥发性存储器，其特征在于，还包括：

第一接触窗，连接至所述选择栅极，以提供第一电压至所述选择栅极；以及

第二接触窗，连接至所述应力释放栅极，以提供第二电压至所述应力释放栅极。

6.根据权利要求5所述的非挥发性存储器，其特征在于，所述第一电压与所述第二电压为相同或不同。

7.根据权利要求4所述的非挥发性存储器，其特征在于，所述应力释放栅极下方的所述通道长度小于输入输出元件的设计规则的最小通道长度。

8.根据权利要求4所述的非挥发性存储器，其特征在于，所述第一介电层的厚度大于所述第二介电层的厚度。

9.根据权利要求4所述的非挥发性存储器，其特征在于，所述第三介电层的厚度大于所述第二介电层的厚度。

10.根据权利要求4所述的非挥发性存储器，其特征在于，所述第二掺杂区与所述第三掺杂区为浮置掺杂区。

11.根据权利要求4所述的非挥发性存储器，其特征在于，所述第一掺杂区至第四掺杂区为相同的导电型。

12.根据权利要求4所述的非挥发性存储器，其特征在于，还包括至少一第一阱区，设置于所述基底中，其中所述第一掺杂区至第四掺杂区位于所述至少一第一阱区中。

13.根据权利要求12所述的非挥发性存储器，其特征在于，所述第一掺杂区至第四掺杂区的导电型不同于所述至少一第一阱区的导电型。

14.根据权利要求12所述的非挥发性存储器，其特征在于，还包括第一电容器与第二电容器，其中所述第一电容器、所述第二电容器与所述浮置栅极晶体管分离设置且彼此耦接。