[发明专利]用于形成具有笔直轮廓的通孔的多重图案化

摘要

一种方法包括在第一硬掩模层上方形成含碳层，含碳层具有大于约25％的碳原子百分比；在含碳层上方形成覆盖层；在覆盖层上方形成第一光刻胶；和将第一光刻胶用作第一蚀刻掩模，蚀刻覆盖层和含碳层。然后，去除第一光刻胶。在覆盖层上方形成第二光刻胶。将第二光刻胶用作第二蚀刻掩模，蚀刻覆盖层和含碳层。去除第二光刻胶。将含碳层用作蚀刻掩模，蚀刻位于含碳层下方的第三光刻胶。将第三光刻胶用作蚀刻掩模蚀刻位于第三光刻胶下面的介电层以形成通孔开口。用导电材料填充通孔开口。本发明实施例涉及用于形成具有笔直轮廓的通孔的多重图案化。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括：在第一硬掩模层上方形成含碳层，所述含碳层具有大于25％的碳原子百分比；在所述含碳层上方形成覆盖层；在所述覆盖层上方形成并且图案化第一光刻胶；将所述第一光刻胶用作第一蚀刻掩模的部分，蚀刻所述覆盖层和所述含碳层；去除所述第一光刻胶；在所述覆盖层上方形成并且图案化第二光刻胶；将所述第二光刻胶用作第二蚀刻掩模的部分，蚀刻所述覆盖层和所述含碳层；去除所述第二光刻胶；将所述含碳层用作第三蚀刻掩模，蚀刻位于所述含碳层下方的第三光刻胶；蚀刻位于所述第三光刻胶下面的介电层以形成通孔开口，其中，所述第三光刻胶用作第三蚀刻掩模的部分；以及用导电材料填充所述通孔开口。