[发明专利]熔区附加磁场装置及具有其的VGF单晶生长炉有效
| 申请号： | 201611027330.5 | 申请日： | 2016-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN106498487A | 公开（公告）日： | 2017-03-15 |
| 发明（设计）人： | 杨翠柏;赵有文;方聪;王凤华;董志远;高永亮;王俊 | 申请（专利权）人： | 北京鼎泰芯源科技发展有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B30/04 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司11327 | 代理人： | 陈英俊,许向彤 |
| 地址： | 100080 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种熔区附加磁场装置及具有其的VGF单晶生长炉，所述磁场装置包括磁体及内外导磁板，套设于单晶炉外采用中心对称布置，用于在VGF单晶生长炉内产生磁场，其中内导磁板位于单晶炉与磁体之间，且与单晶炉和磁体相接触，外导磁板位于磁体远离内导磁板的一侧。本发明采用对称的永磁场能够有效地抑制单晶炉中的熔体对流，并降低固液界面的温度波动，提高晶体质量。 | ||
| 搜索关键词： | 附加 磁场 装置 具有 vgf 生长 | ||
【主权项】：
一种熔区附加磁场装置，其特征在于，所述磁场装置包括磁体及内外导磁板，套设于单晶炉外采用中心对称布置，用于在VGF单晶生长炉内产生磁场，其中内导磁板位于单晶炉与磁体之间，且与单晶炉和磁体相接触，外导磁板位于磁体远离内导磁板的一侧。
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