[发明专利]可变电阻记忆体电路以及可变电阻记忆体电路的写入方法有效
申请号: | 201611026402.4 | 申请日: | 2016-11-22 |
公开(公告)号: | CN108022617B | 公开(公告)日: | 2020-11-24 |
发明(设计)人: | 郭家辰;许世玄 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
主分类号: | G11C13/00 | 分类号: | G11C13/00 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明的一实施例提供一种可变电阻记忆体电路与可变电阻记忆体电路的写入方法。可变电阻记忆体电路包括可变电阻记忆体晶胞(包括可变电阻元件与晶体管)、电压信号产生电路、切换电路、侦测电路与控制器。电压信号产生电路耦接晶体管的控制端。切换电路耦接晶体管与可变电阻元件。侦测电路耦接电压源与切换电路。控制器耦接电压信号产生电路、切换电路与侦测电路。可变电阻记忆体晶胞在写入动作时,电压信号产生电路提供电压信号至晶体管,且侦测电路连续地侦测可变电阻元件是否发生电阻值转态。若发生电阻值转态,控制器停止写入动作。 | ||
搜索关键词: | 可变 电阻 记忆体 电路 以及 写入 方法 | ||
【主权项】:
1.一种可变电阻记忆体电路,其特征在于,包括:一可变电阻记忆体晶胞,该可变电阻记忆体晶胞包括一可变电阻元件与一晶体管,其中该晶体管的第一端连接该可变电阻元件的第一端;一电压信号产生电路,耦接该晶体管的控制端;一切换电路,耦接该晶体管的第二端与该可变电阻元件的第二端;一侦测电路,耦接一电压源,其中该侦测电路的第一端与第二端耦接该切换电路;以及一控制器,耦接该电压信号产生电路、该切换电路以及该侦测电路;其中,当该控制器对该可变电阻记忆体晶胞执行一第一写入动作时,该控制器透过该切换电路将该可变电阻元件的第二端与该侦测电路的第一端耦接,并且透过该切换电路将该晶体管的第二端与该侦测电路的第二端耦接;其中,当该控制器对该可变电阻记忆体晶胞执行该第一写入动作时,该控制器启动该侦测电路,使该侦测电路连续地侦测流经该可变电阻元件的一第一电流;其中,当该控制器对该可变电阻记忆体晶胞执行该第一写入动作时,该控制器启动该电压信号产生电路,使该电压信号产生电路提供一电压信号至该晶体管的控制端;其中,当该控制器对该可变电阻记忆体晶胞执行该第一写入动作时,若该侦测电路判断该第一电流小于一第一预定电流,则该侦测电路发送一侦测信号至该控制器以致使该控制器停止执行该第一写入动作。
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