[发明专利]一种半导体阵列器件测试方法有效
| 申请号： | 201611019809.4 | 申请日： | 2016-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN106646179B | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 张佐兵;张顺勇;谢振 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01R1/067 |
| 代理公司： | 11212 北京轻创知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈卫<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种半导体阵列器件测试方法，包括处理待测试半导体阵列器件，裸露出钨栓层；在待测试半导体阵列器件的栅极导电层上方，间隔预设距离进行刻蚀，直至裸露出栅极导电层；在刻蚀处填充导电介质,形成附加触点；将应与栅极触点接触的纳米探针与附加触点接触，进行附加触点预设范围内半导体单元的电学特性测试。本发明的有益效果是：对于不能同时与栅极触点位于测试机台上的漏极触点和源极触点所对应的半导体单元，在其附近添加一个与栅极导通的附加触点使此附加触点与此半导体单元对应的漏极触点和源极触点可同时位于测试机台上，用此附加触点替代栅极触点，从而实现使用纳米探针测试仪测试此半导体单元的电学特性。 | ||
| 搜索关键词： | 触点 半导体单元 栅极触点 测试半导体 栅极导电层 测试机台 漏极触点 纳米探针 源极触点 阵列器件 刻蚀 电学特性测试 填充导电介质 半导体阵列 触点接触 电学特性 器件测试 预设距离 测试仪 导通 钨栓 预设 测试 替代 | ||
【主权项】：
1.一种半导体阵列器件测试方法，其特征在于，包括如下步骤：/n步骤1，处理待测试半导体阵列器件，裸露出钨栓层；/n步骤2，在所述待测试半导体阵列器件的栅极导电层上方，间隔预设距离进行刻蚀，直至裸露出所述栅极导电层；/n步骤3，在刻蚀处填充导电介质,形成附加触点；/n步骤4，将应与栅极触点接触的纳米探针与所述附加触点接触，进行所述附加触点预设范围内半导体单元的电学特性测试；/n所述预设距离为测试机台长度的两倍。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉新芯集成电路制造有限公司，未经武汉新芯集成电路制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611019809.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
