[发明专利]一种半导体阵列器件测试方法有效
| 申请号： | 201611019809.4 | 申请日： | 2016-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN106646179B | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 张佐兵;张顺勇;谢振 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01R1/067 |
| 代理公司： | 11212 北京轻创知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈卫<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 触点 半导体单元 栅极触点 测试半导体 栅极导电层 测试机台 漏极触点 纳米探针 源极触点 阵列器件 刻蚀 电学特性测试 填充导电介质 半导体阵列 触点接触 电学特性 器件测试 预设距离 测试仪 导通 钨栓 预设 测试 替代 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体阵列器件测试方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1，处理待测试半导体阵列器件，裸露出钨栓层；
步骤2，在所述待测试半导体阵列器件的栅极导电层上方，间隔预设距离进行刻蚀，直至裸露出所述栅极导电层；
步骤3，在刻蚀处填充导电介质,形成附加触点；
步骤4，将应与栅极触点接触的纳米探针与所述附加触点接触，进行所述附加触点预设范围内半导体单元的电学特性测试；
所述预设距离为测试机台长度的两倍。
2.根据权利要求1所述一种半导体阵列器件测试方法，其特征在于，所述步骤1的具体实现为采用机械研磨的方式去除所述待测试半导体阵列器件上方的覆盖层，使钨栓层裸露出来。
3.根据权利要求1所述一种半导体阵列器件测试方法，其特征在于，所述步骤2的具体实现为在FIB系统下定位待刻蚀处，并采用所述FIB系统提供的离子束对所述待刻蚀处进行刻蚀，形成盲孔以裸露出所述栅极导电层。
4.根据权利要求1所述一种半导体阵列器件测试方法，其特征在于，所述导电介质为金属介质。
5.根据权利要求4所述一种半导体阵列器件测试方法，其特征在于，所述金属介质为铂。
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