[发明专利]一种半导体阵列器件测试方法

说明书

本发明涉及一种半导体阵列器件测试方法，包括处理待测试半导体阵列器件，裸露出钨栓层；在待测试半导体阵列器件的栅极导电层上方，间隔预设距离进行刻蚀，直至裸露出栅极导电层；在刻蚀处填充导电介质,形成附加触点；将应与栅极触点接触的纳米探针与附加触点接触，进行附加触点预设范围内半导体单元的电学特性测试。本发明的有益效果是：对于不能同时与栅极触点位于测试机台上的漏极触点和源极触点所对应的半导体单元，在其附近添加一个与栅极导通的附加触点使此附加触点与此半导体单元对应的漏极触点和源极触点可同时位于测试机台上，用此附加触点替代栅极触点，从而实现使用纳米探针测试仪测试此半导体单元的电学特性。

技术领域

本发明涉及半导体测试技术领域，特别涉及一种半导体阵列器件测试方法。

背景技术

在半导体器件失效分析中，通常采用纳米探针测试仪在半导体器件的钨栓层测试半导体器件的电学特性，根据电学特性分析半导体器件的失效原因。具体操作是在半导体器件的漏极、源极和栅极对应的钨栓上各连接一根纳米探针，通过纳米探针在漏极、源极和栅极上施加不同的电压，获取相应的电学特性。但是，半导体阵列器件(如存储芯片)的特点是：在钨栓层，每一行半导体单元共用一处栅极触点，而漏极触点和源极触点随着半导体单元位置的不同而不同；因而，受测试机台面积的限制，纳米探针仪只能测试靠近栅极触点一定范围内的半导体单元的电学特性；对于超出此范围外的半导体单元，因为其漏极触点和源极触点不能与栅极触点同时位于测试机台上，故其电学特性无法采用纳米探针仪测试。

发明内容

本发明目的是提供一种半导体阵列器件测试方法，解决现有技术中存在的上述问题。

本发明解决上述技术问题的技术方案如下：

一种半导体阵列器件测试方法，包括如下步骤：

步骤1，处理待测试半导体阵列器件，裸露出钨栓层；

步骤2，在所述待测试半导体阵列器件的栅极导电层上方，间隔预设距离进行刻蚀，直至裸露出所述栅极导电层；

步骤3，在刻蚀处填充导电介质,形成附加触点；

步骤4，将应与栅极触点接触的纳米探针与所述附加触点接触，进行所述附加触点预设范围内半导体单元的电学特性测试。

本发明的有益效果是：对于不能同时与栅极触点位于测试机台上的漏极触点和源极触点所对应的半导体单元，在其附近添加一个与栅极导通的附加触点，使此附加触点与此半导体单元对应的漏极触点和源极触点可同时位于测试机台上，用此附加触点替代栅极触点，从而实现使用纳米探针测试仪测试此半导体单元的电学特性。

在上述技术方案的基础上，本发明还可以做如下改进。

进一步，所述步骤1的具体实现为采用机械研磨的方式去除所述待测试半导体阵列器件上方的覆盖层，使钨栓层裸露出来。

采用上述进一步方案的有益效果是，机械研磨能够有效避免对待测试半导体阵列器件的损坏。

进一步，所述步骤2的具体实现为在FI B(聚焦离子束)系统下定位待刻蚀处，并采用所述FIB系统提供的离子束对所述待刻蚀处进行刻蚀，形成盲孔以裸露出所述栅极导电层。

采用上述进一步方案的有益效果是，有效利用F I B系统的观察和刻蚀功能；在离子束流较小的情况下，此FIB系统作为扫描离子显微镜，从而精确定位待刻蚀处；在离子束流较大的情况下，对待刻蚀处进行刻蚀，形成盲孔，刻蚀精准；且在同一系统下完成两项操作，简化操作。

进一步，所述预设距离为测试机台长度的两倍。

采用上述进一步方案的有益效果是，每个附加触点作为其两侧一倍测试机台长度范围内的半导体单元采用纳米探针仪测试时的替代栅极触点，有效减少附加触点的个数，简化操作。

进一步，所述导电介质为金属介质。