[发明专利]NMOS器件及其集成工艺方法

摘要

本发明提供了一种NMOS器件及其集成工艺方法。在P型衬底中形成由浅沟槽隔离的高压与低压P阱区；在高压与低压P阱区上形成栅极结构；涂覆第一光刻胶层，定义第一光刻胶图案，去除高压P阱区上方光刻胶，对高压P阱区执行离子注入以形成高压NMOS器件的轻掺杂源扩散区，注入P型反型层；去除光刻胶，形成高压P阱区与低压P阱区上的栅极结构的侧墙，涂覆第二光刻胶层，定义第二光刻胶图案，同时去除高压P阱区和低压P阱区上方光刻胶，对高压P阱区与低压P阱区执行以相对于衬底表面成倾斜角度的离子注入，以形成低压NMOS器件的轻掺杂扩散区，并且在高压NMOS器件的轻掺杂扩散区周围形成二次扩散注入区；形成高压NMOS的重掺杂源漏区和低压NMOS的重掺杂源漏区。

主权项

一种NMOS器件集成工艺方法，其特征在于包括：第一步骤：在P型衬底中形成由浅沟槽隔离的高压P阱区与低压P阱区；第二步骤：在高压P阱区与低压P阱区上分别形成高压栅极氧化层和低压栅氧化层，以及由栅极多晶硅组成的栅极结构；第三步骤：涂覆第一光刻胶层，利用模板定义第一光刻胶图案，去除高压P阱区上方光刻胶，对高压P阱区执行离子注入以形成高压NMOS器件的轻掺杂源扩散区，此后注入P型反型层；第四步骤：去除光刻胶，形成高压P阱区与低压P阱区上的栅极结构的侧墙，涂覆第二光刻胶层，利用模板定义第二光刻胶图案，同时去除高压P阱区和低压P阱区上方光刻胶，对高压P阱区与低压P阱区执行以相对于衬底表面成倾斜角度的离子注入，以形成低压NMOS器件的轻掺杂扩散区，并且在高压NMOS器件的轻掺杂扩散区周围形成二次扩散注入区；第五步骤：形成高压NMOS的重掺杂源漏区和低压NMOS的重掺杂源漏区。