[发明专利]抗PID电池片的制备方法及光伏组件

摘要

本发明涉及一种抗PID电池片的制备方法及光伏组件，该制备方法先将晶体硅片置于臭氧气氛中进行初步氧形成第一SiO2薄膜，然后以含有N2O的气体作为反应气体在第一SiO2薄膜上沉积第二SiO2薄膜，然后在第一混合气体中沉积第一SiNx薄膜以及在第二混合气体中沉积第二SiNx薄膜。第二SiO2薄膜可以弥补初步氧化的不完全覆盖，增加SiO2膜层的厚度和致密性。第一SiNx薄膜与第二SiNx薄膜配合可以增强电池片表面对紫外短波部分的吸收。这种方法制备得到的电池片，膜层的致密性好，界面更加连续，抗PID性能较好。

主权项

一种抗PID电池片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供晶体硅片；将所述晶体硅片置于臭氧气氛中进行初步氧化，在所述晶体硅片表面形成第一SiO2薄膜；将初步氧化后的晶体硅片置于化学气相沉积设备的腔体中，真空条件下，以含有N2O的气体作为反应气体在所述第一SiO2薄膜上沉积第二SiO2薄膜；向所述腔体中通入第一混合气体，其中，所述第一混合气体中含有体积比为1:3～6的SiH4和NH3，在所述第二SiO2薄膜上沉积第一SiNx薄膜；以及向所述腔体中通入第二混合气体，其中，所述第二混合气体中含有体积比为1:7～9的SiH4和NH3，在所述第一SiNx薄膜上沉积第二SiNx薄膜，得到抗PID电池片；所述将所述晶体硅片置于臭氧气氛中进行初步氧化的操作具体为：将所述晶体硅片置于臭氧氧化设备中，向所述臭氧氧化设备中通入氧气，在紫外光照射下对所述晶体硅片进行初步氧化；所述以含有N2O的气体作为反应气体在所述第一SiO2薄膜上沉积第二SiO2薄膜的操作中，具体为采用等离子体增强化学气相沉积法，溅射功率为4000W～7000W，反应温度为400℃～480℃，所述含有N2O的气体仅为N2O，所述N2O的气流量为5000sccm～10000sccm；向所述腔体中通入第一混合气体的操作之前，先抽去所述腔体中的N2O；所述第一SiO2薄膜的厚度为0.5nm～2nm；所述第二SiO2薄膜的厚度为1nm～5nm。