[发明专利]一种有机无机复合钙钛矿材料的单晶薄膜及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201610964168.3 | 申请日： | 2016-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN108023017B | 公开（公告）日： | 2019-12-27 |
| 发明（设计）人： | 胡劲松;陈尧轩;万立骏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院化学研究所 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48 |
| 代理公司： | 11535 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 刘元霞;牛艳玲 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种有机无机复合钙钛矿材料的单晶薄膜及其制备方法和应用，所述方法是利用二维限域诱导的溶液以制备有机无机复合大面积钙钛矿的单晶薄膜，该方法对ABX | ||
| 搜索关键词： | 一种 有机 无机 复合 钙钛矿 材料 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种有机无机复合钙钛矿材料的单晶薄膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：/n(1)配制有机无机复合钙钛矿材料的前驱体溶液，处理拟用于生长单晶薄膜的基底；/n(2)将步骤(1)中处理得到的基底组合成二维限域结构，并与所述钙钛矿材料的前驱体溶液接触，通过毛细作用形成所述前驱体溶液的薄膜；/n(3)在一定条件下，前驱体原位生长为单晶，得到所述有机无机复合钙钛矿材料的单晶薄膜。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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