[发明专利]真空镀膜的方法有效
| 申请号： | 201610959307.3 | 申请日： | 2016-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN106498349B | 公开（公告）日： | 2019-06-21 |
| 发明（设计）人： | 尚金堂;吉宇;潘智华;鹿麟 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | C23C14/32 | 分类号： | C23C14/32;C23C14/06;C23C14/04 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210088 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种真空镀膜的方法，涉及一种类金刚石薄膜以及金属薄膜的制备技术，包括以下步骤：第一步，通过激光切割或者刻蚀导电圆片(1)，在导电圆片(1)上得到通孔(2)；第二步，将靶材圆片(3)、导电圆片(1)、衬底圆片(4)依次叠放，并置于真空中加热至温度稳定；第三步，在靶材圆片(3)和衬底圆片(4)上施加电压，其中靶材圆片(3)接正电极，衬底圆片(4)接负电极，在电压作用下衬底圆片(4)上镀有靶材薄膜(8)。本发明可精确控制衬底圆片上需要镀上类金刚石薄膜或者金属薄膜的区域，可制备尺寸为毫米级别甚至亚毫米级别的类金刚石薄膜或者金属薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 真空镀膜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种真空镀膜的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：第一步，通过激光切割或者刻蚀导电圆片(1)，在导电圆片(1)上得到通孔(2)，导电圆片为硅圆片；第二步，将靶材圆片(3)、导电圆片(1)、衬底圆片(4)依次叠放，并置于真空中加热至温度稳定，其中，温度在250℃—450℃，真空度要求为10‑5Pa—10‑1Pa，衬底圆片(4)为硼硅玻璃圆片，玻璃中含有钠离子或者其他碱金属离子；所述靶材圆片(3)为高碳鳞片石墨圆片或者金属圆片；第三步，在靶材圆片(3)和衬底圆片(4)上施加电压，电压为200V—2000V，施加电压时间为1分钟—20小时，其中靶材圆片(3)接正电极，衬底圆片(4)接负电极，在电压作用下衬底圆片(4)上镀有靶材薄膜(8)。
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