[发明专利]非极性InGaN/GaN多量子阱纳米柱及其制法有效
| 申请号： | 201610932149.2 | 申请日： | 2016-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN106384763B | 公开（公告）日： | 2019-01-29 |
| 发明（设计）人： | 李国强;王海燕;杨为家 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/32;H01L21/02;H01L33/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 罗观祥 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于LED材料的技术领域，公开了非极性InGaN/GaN多量子阱纳米柱及其制法。所述非极性InGaN/GaN多量子阱纳米柱包括LiGaO2衬底，生长在LiGaO2衬底上的非极性GaN纳米柱模板层，生长在非极性GaN纳米柱模板层中纳米柱阵列上的非极性InGaN/GaN多量子阱纳米柱。所述非极性GaN纳米柱模板层包括非极性GaN缓冲层和非极性GaN纳米柱阵列。本发明生长在LiGaO2衬底上的非极性InGaN/GaN多量子阱纳米柱能够提高材料的光电性能，提高了载流子的辐射复合效率，可大幅度提高氮化物器件的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 极性 ingan gan 多量 纳米 及其 制法 | ||
【主权项】：
1.生长在LiGaO2衬底上的非极性InGaN/GaN多量子阱纳米柱，其特征在于：包括LiGaO2衬底，生长在LiGaO2衬底上的非极性GaN纳米柱模板层，生长在非极性GaN纳米柱模板层中纳米柱阵列上的非极性InGaN/GaN多量子阱纳米柱；所述非极性GaN纳米柱模板层包括非极性GaN缓冲层和非极性GaN纳米柱阵列，所述非极性GaN纳米柱阵列设置在非极性GaN缓冲层上，非极性GaN缓冲层生长在LiGaO2衬底上；所述LiGaO2衬底以(100)晶面偏向(110)方向0.5～1°为外延面；所述非极性GaN纳米柱模板层的GaN[0001]面//LiGaO2[001]面，GaN[11‑20]面//LiGaO2[010]面。
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