[发明专利]超级结沟槽底部定点分析方法在审
| 申请号： | 201610929218.4 | 申请日： | 2016-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN106353353A | 公开（公告）日： | 2017-01-25 |
| 发明（设计）人： | 芮志贤;吴长亮 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G01N23/22 | 分类号： | G01N23/22;G01N1/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超级结沟槽底部定点分析方法，包括在样品需要分析位置制作定点标记；在样品侧面研磨样品，直至侧面研磨部位剩余样品距离所述定点标记达到第一预设距离；以第一预设角度倾斜地正面研磨样品，直至研磨部位剩余样品宽度达到第一预设研磨宽度；使用聚焦离子束对样品表面距离沟槽底部小于第二预设距离的标记位置进行表面定点分析。本发明能对超级结沟槽底部失效点实现准确定位。 | ||
| 搜索关键词： | 超级 沟槽 底部 定点 分析 方法 | ||
【主权项】：
一种超级结沟槽底部定点分析方法，其特征在于，包括：1)在样品需要分析位置制作定点标记；2)在样品侧面研磨样品，直至侧面研磨部位剩余样品距离所述定点标记达到第一预设距离；3)以第一预设角度倾斜地正面研磨样品，直至研磨部位剩余样品宽度达到第一预设研磨宽度；4)使用聚焦离子束对样品表面距离沟槽底部小于第二预设距离的标记位置进行表面定点分析。
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