[发明专利]一种晶圆边缘清洗装置及清洗方法有效
| 申请号： | 201610925966.5 | 申请日： | 2016-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN106449482B | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 佟金刚;李阳柏;张传民;倪立华 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出一种晶圆边缘清洗装置及清洗方法，该装置包括：机械手臂，夹持晶圆两侧并通过旋转带动晶圆进行旋转；化学药液槽，设置于所述机械手臂下方，通过控制所述机械手臂的高度来控制晶圆与所述化学药液槽中的药液接触深度；多路氮气管路，设置于所述化学药液槽上方并对所述化学药液槽中的药液及晶圆进行氮气处理。本发明提出的晶圆边缘清洗装置及清洗方法，通过对晶圆边缘的清洗工艺进行改进，防止由于边缘产生的缺陷源头，而影响晶圆的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 边缘 清洗 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆边缘清洗装置，其特征在于，包括：机械手臂，夹持晶圆两侧并通过旋转带动晶圆进行旋转；化学药液槽，设置于所述机械手臂下方，通过控制所述机械手臂的高度来控制晶圆与所述化学药液槽中的药液接触深度；多路氮气管路，设置于所述化学药液槽上方并对所述化学药液槽中的药液及晶圆进行氮气处理，其中，所述多路氮气管路包括第一氮气管路、第二氮气管路、第三氮气管路和第四氮气管路，所述第二氮气管路的出风口对着药液液面，所述第四氮气管路，其为氮气保护管路，防止第一氮气管路带来的药液影响第二氮气管路的效果。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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