[发明专利]一种功率MOS管及其制造方法

摘要

本发明提供了一种功率MOS管及其制造方法，该功率MOS管包括：MOS管本体及散热背板，其中，所述散热背板的面积由所述MOS管本体的参数确定；所述散热背板与所述MOS管本体的背部固定连接；所述散热背板通过锡焊的方式与外部的电路板相连；所述散热背板，用于吸收所述MOS管本体产生的热量，并对吸收的热量进行散失。该制造方法包括：根据所述MOS管本体的参数确定所述散热背板的面积；将所述散热背板与所述MOS管本体的背部固定连接；通过锡焊的方式将所述散热背板与外部的电路板相连。本方案能够降低对功率MOS管进行冷却的成本。

主权项

1.一种功率MOS管，其特征在于，包括：MOS管本体及散热背板，其中，所述散热背板的面积由所述MOS管本体的参数确定；所述散热背板与所述MOS管本体的背部固定连接；所述散热背板通过锡焊的方式与外部的电路板相连；所述散热背板，用于吸收所述MOS管本体产生的热量，并对吸收的热量进行散失；所述散热背板的面积与所述MOS管本体的参数具有如下公式一所示的对应关系，其中所述公式一包括：其中，所述S为所述散热背板的面积，所述K为所述散热背板对应材料的导热率，所述T为所述MOS管本体内PN结允许的最高温度，所述为所述PN结与所述MOS管本体的壳体之间的热阻，所述D为所述MOS管本体工作时的开通占空比，所述I为所述MOS管本体的漏极允许的最大峰值电流，所述R为所述PN结导通时的电阻，所述f为所述MOS管本体的工作频率，所述为所述MOS管本体导通时单次损耗能量，所述为所述MOS管本体关断时单次损耗能量，所述V为所述MOS管本体的栅极电压，所述Q为所述MOS管本体栅极存储的电荷量。