[发明专利]一种获得分栅快闪存储器稳定浮栅尖端的工艺制造方法

摘要

一种获得分栅快闪存储器稳定浮栅尖端的工艺制造方法，包括：在衬底上形成耦合氧化层和浮栅多晶硅层，在浮栅多晶硅层上形成浮栅氮化硅层，布置掩膜，形成掩膜图案；利用掩膜对浮栅氮化硅层进行刻蚀同时保证浮栅多晶硅具有损失量以防止开口区域的浮栅氮化硅残留，基于浮栅氮化硅蚀刻以后的浮栅多晶硅剩余厚度利用反馈系统且各向同性蚀刻以使各项同性蚀刻后的浮栅多晶硅剩余厚度相同，最终形成具有不同弧度的浮栅多晶硅；在浮栅氮化硅开口区域的浮栅多晶硅层上形成第一侧墙、第二侧墙、源多晶硅线；根据对浮栅多晶硅层各向同性蚀刻所形成的弧度大小，对第一侧墙执行不同的湿法横向回刻蚀时间。

主权项

1.一种获得分栅快闪存储器稳定浮栅尖端的工艺制造方法，其特征在于包括：第一步骤：在衬底上依次形成耦合氧化层和浮栅多晶硅层，并且在所述浮栅多晶硅层上形成浮栅氮化硅层，然后布置掩膜，而且形成所述掩膜的图案；第二步骤：随后利用形成图案的所述掩膜对所述浮栅氮化硅层进行刻蚀同时保证浮栅多晶硅具有一定的损失量以防止开口区域的浮栅氮化硅残留，然后基于浮栅氮化硅蚀刻以后的浮栅多晶硅剩余厚度利用反馈系统且各向同性蚀刻使各项同性蚀刻后的浮栅多晶硅剩余厚度相同，最终形成具有不同弧度的浮栅多晶硅，弧度大小取决于各向同性的蚀刻时间；在此步骤中浮栅氮化硅蚀刻以后浮栅多晶硅的剩余厚度不同，浮栅多晶硅的各项同性蚀刻需要选择不同的时间以保持各项同性蚀刻后的剩余厚度相同，因此，各项同性蚀刻以后浮栅多晶硅的弧度不同；第三步骤：在浮栅氮化硅开口区域的浮栅多晶硅层上形成第一侧墙、第二侧墙、源多晶硅线；第四步骤：根据对所述浮栅多晶硅层各向同性蚀刻所形成的弧度大小，对第一侧墙执行不同的湿法横向回刻蚀时间；第五步骤：以第一侧墙为掩膜，通过干法蚀刻浮栅多晶硅，以形成最终的浮栅尖端。